SI4532ADY-T1-GE3
#SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4532ADY-T1-GE3 Novo SI4532ADY-T1-GE3 Efeito de campo de pequeno sinal Transistor, 3.7AI (D), 30V, 2 elementos, canal N e canal P, silício, óxido metálico Semicondutores FET, SEM HALOGÊNIO E COMPLICANTE DE ROHS, SOP-8; SI4532ADY-T1-GE3, imagens SI4532ADY-T1-GE3, preço SI4532ADY-T1-GE3, fornecedor # SI4532ADY-T1-GE3
———————————————————————
Email: sales@shunlongwei.com
———————————————————————
Email: sales@shunlongwei.com
———————————————————————
Número da peça do fabricante: SI4532ADY-T1-GE3
Código Pbfree: Sim
Código do ciclo de vida da peça: transferido
Fabricante Ihs: VISHAY SILICONIX
Código do pacote da peça: SOT
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Contagem de pinos: 8
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Vishay Siliconix
Classificação de risco: 5.14
Configuração: SEPARADO, 2 ELEMENTOS COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 30 V
Corrente de drenagem-Máx (ID): 3.7 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.053 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO SEMICONDUTOR
Código JESD-30: R-PDSO-G8
Código JESD-609: e3
Nível de sensibilidade à umidade: 1
Número de elementos: 2
Número de terminais: 8
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): 260
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL E P-CHANNEL
Status de qualificação: Não qualificado
Montagem em superfície: SIM
Acabamento do terminal: MATTE TIN
Formulário Terminal: GULL WING
Posição Terminal: DUAL
Horário
Transistor de efeito de campo de pequeno sinal, 3.7AI (D), 30V, 2 elementos, canal N e canal P, silício, semicondutor de óxido metálico FET, SEM HALOGÊNIO E COMPATÍVEL COM ROHS, SOP-8
Código Pbfree: Sim
Código do ciclo de vida da peça: transferido
Fabricante Ihs: VISHAY SILICONIX
Código do pacote da peça: SOT
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Contagem de pinos: 8
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Vishay Siliconix
Classificação de risco: 5.14
Configuração: SEPARADO, 2 ELEMENTOS COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 30 V
Corrente de drenagem-Máx (ID): 3.7 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.053 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO SEMICONDUTOR
Código JESD-30: R-PDSO-G8
Código JESD-609: e3
Nível de sensibilidade à umidade: 1
Número de elementos: 2
Número de terminais: 8
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): 260
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL E P-CHANNEL
Status de qualificação: Não qualificado
Montagem em superfície: SIM
Acabamento do terminal: MATTE TIN
Formulário Terminal: GULL WING
Posição Terminal: DUAL
Horário
Transistor de efeito de campo de pequeno sinal, 3.7AI (D), 30V, 2 elementos, canal N e canal P, silício, semicondutor de óxido metálico FET, SEM HALOGÊNIO E COMPATÍVEL COM ROHS, SOP-8
« KSC2316YTA VI-J70-IY »