SI4532ADY-T1-GE3
#SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4532ADY-T1-GE3 Nouvel effet de champ à petit signal SI4532ADY-T1-GE3 Transistor, 3.7AI(D), 30V, 2-Elément, N-Channel et P-Channel, Silicium, Métal-oxyde Semi-conducteurs FET, SANS HALOGÈNE ET CONFORMITÉ ROHS, SOP-8 ; SI4532ADY-T1-GE3, photos SI4532ADY-T1-GE3, prix SI4532ADY-T1-GE3, fournisseur #SI4532ADY-T1-GE3
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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Numéro de pièce du fabricant : SI4532ADY-T1-GE3
Code Pbfree: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: transféré
Ihs Fabricant : VISHAY SILICONIX
Code de l'emballage de la pièce : SOT
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G8
Nombre de broches: 8
Code ECCN: EAR99
Fabricant : Vishay Siliconix
Classement de risque: 5.14
Configuration: SÉPARÉ, 2 ÉLÉMENTS AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 30 V
Courant de drain-Max (ID): 3.7 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.053 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL SEMI-CONDUCTEUR
Code JESD-30: R-PDSO-G8
Code JESD-609: e3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 2
Nombre de terminaux: 8
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité/Type de canal : CANAL N ET CANAL P
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: OUI
Finition du terminal: MATTE TIN
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Temps
Transistor à effet de champ à petit signal, 3.7AI(D), 30V, 2 éléments, canal N et canal P, silicium, FET à semi-conducteur à oxyde métallique, SANS HALOGÈNE ET CONFORMITÉ ROHS, SOP-8
Code Pbfree: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: transféré
Ihs Fabricant : VISHAY SILICONIX
Code de l'emballage de la pièce : SOT
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G8
Nombre de broches: 8
Code ECCN: EAR99
Fabricant : Vishay Siliconix
Classement de risque: 5.14
Configuration: SÉPARÉ, 2 ÉLÉMENTS AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 30 V
Courant de drain-Max (ID): 3.7 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.053 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL SEMI-CONDUCTEUR
Code JESD-30: R-PDSO-G8
Code JESD-609: e3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 2
Nombre de terminaux: 8
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité/Type de canal : CANAL N ET CANAL P
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: OUI
Finition du terminal: MATTE TIN
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Temps
Transistor à effet de champ à petit signal, 3.7AI(D), 30V, 2 éléments, canal N et canal P, silicium, FET à semi-conducteur à oxyde métallique, SANS HALOGÈNE ET CONFORMITÉ ROHS, SOP-8
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