« GaN sans souci ouvre la voie à des solutions plus économes en énergie et en CO2-des solutions d'économie qui soutiennent la décarbonation. L'adoption dans des applications telles que la recharge mobile, les alimentations de centres de données, les onduleurs solaires résidentiels et les chargeurs embarqués pour véhicules électriques est à un point critique, entraînant une croissance dynamique du marché », a déclaré Jochen Hanebeck (photo), PDG d'Infineon. "L'acquisition prévue de GaN Systems accélérera considérablement notre feuille de route GaN, basée sur des ressources de R&D inégalées, une compréhension des applications et un pipeline de projets clients. 
En tant que matériau à large bande interdite, le GaN offre une valeur client par une densité de puissance plus élevée, une efficacité plus élevée et des réductions de taille, en particulier à des fréquences de commutation plus élevées.
Ces propriétés permettent des économies d'énergie et des facteurs de forme plus petits, ce qui rend le GaN adapté à une large gamme d'applications.
Le GaN devient un matériau clé pour les semi-conducteurs de puissance, aux côtés du silicium et du carbure de silicium, et couplé à de nouvelles topologies, telles que les implémentations hybrides fly-back et multi-niveaux.
En février 2022, Infineon a annoncé avoir doublé sa large bande interdite en investissant plus de 2 milliards d'euros dans une nouvelle usine frontale à Kulim, en Malaisie, renforçant ainsi sa position sur le marché.
Les premières tranches quitteront l'usine au second semestre 2024, s'ajoutant aux capacités de fabrication à large bande interdite existantes d'Infineon à Villach, en Autriche.