“GaN technology 보다 에너지 효율적이고 COXNUMX를 위한 길을 닦고 있습니다.2-탈탄소화를 지원하는 절약 솔루션. 모바일 충전, 데이터 센터 전원 공급 장치, 주거용 태양광 인버터, 전기 자동차용 온보드 충전기와 같은 애플리케이션의 채택은 역동적인 시장 성장으로 이어지는 전환점에 있습니다.”라고 Infineon의 CEO인 Jochen Hanebeck(사진)이 말했습니다. “계획된 GaN Systems 인수는 타의 추종을 불허하는 R&D 리소스, 애플리케이션 이해 및 고객 프로젝트 파이프라인을 기반으로 GaN 로드맵을 크게 가속화할 것입니다. 
넓은 밴드갭 소재인 GaN은 특히 더 높은 스위칭 주파수에서 더 높은 전력 밀도, 더 높은 효율성 및 크기 감소를 통해 고객 가치를 제공합니다.
이러한 특성을 통해 에너지 절약 및 더 작은 폼 팩터가 가능하므로 GaN은 다양한 응용 분야에 적합합니다.
GaN은 실리콘 및 실리콘 카바이드와 함께 전력 반도체의 핵심 소재가 되고 있으며 하이브리드 플라이백 및 다중 레벨 구현과 같은 새로운 토폴로지와 결합됩니다.
2022년 2월 인피니언은 말레이시아 쿨림에 있는 새로운 프런트엔드 팹에 XNUMX억 유로 이상을 투자하여 와이드 밴드갭을 두 배로 늘리고 시장 입지를 강화한다고 발표했습니다.
첫 번째 웨이퍼는 2024년 하반기에 팹을 떠나 오스트리아 빌라흐에 있는 인피니언의 기존 와이드 밴드갭 제조 능력에 추가됩니다.