“GaN la tecnologia sta aprendo la strada a una maggiore efficienza energetica e riduzione delle emissioni di COXNUMX2- soluzioni di risparmio che supportano la decarbonizzazione. L'adozione in applicazioni come la ricarica mobile, gli alimentatori per data center, gli inverter solari residenziali e i caricabatterie di bordo per veicoli elettrici è al punto di svolta, portando a una crescita dinamica del mercato ", ha affermato Jochen Hanebeck (nella foto) CEO di Infineon. “L'acquisizione pianificata di GaN Systems accelererà in modo significativo la nostra roadmap GaN, basata su risorse di ricerca e sviluppo senza pari, comprensione delle applicazioni e pipeline di progetti dei clienti. 
In quanto materiale ad ampia banda proibita, il GaN offre valore al cliente grazie a una maggiore densità di potenza, maggiore efficienza e riduzione delle dimensioni, soprattutto a frequenze di commutazione più elevate.
Queste proprietà consentono risparmi energetici e fattori di forma più piccoli, rendendo il GaN adatto a un'ampia gamma di applicazioni.
Il GaN sta diventando un materiale chiave per i semiconduttori di potenza, insieme al silicio e al carburo di silicio, e insieme a nuove topologie, come il fly-back ibrido e le implementazioni multilivello.
Nel febbraio 2022, Infineon ha annunciato di raddoppiare l'ampio bandgap investendo oltre 2 miliardi di euro in una nuova fab di frontend a Kulim, in Malesia, rafforzando la sua posizione di mercato.
I primi wafer lasceranno la fabbrica nella seconda metà del 2024, andando ad aggiungersi alle capacità di produzione di banda larga esistenti di Infineon a Villach, in Austria.