“GaN teknologi sedang membuka jalan untuk lebih cekap tenaga dan CO2-penyelesaian penjimatan yang menyokong penyahkarbonan. Penggunaan dalam aplikasi seperti pengecasan mudah alih, bekalan kuasa pusat data, penyongsang suria kediaman dan pengecas atas kapal untuk kenderaan elektrik berada pada titik kritikal, yang membawa kepada pertumbuhan pasaran yang dinamik,” kata Jochen Hanebeck (gambar) Ketua Pegawai Eksekutif Infineon. “Pemerolehan GaN Systems yang dirancang akan mempercepatkan pelan hala tuju GaN kami dengan ketara, berdasarkan sumber R&D yang tiada tandingan, pemahaman aplikasi dan saluran paip projek pelanggan. 
Sebagai bahan jurang jalur lebar, GaN menawarkan nilai pelanggan dengan ketumpatan kuasa yang lebih tinggi, kecekapan yang lebih tinggi dan pengurangan saiz, terutamanya pada frekuensi pensuisan yang lebih tinggi.
Ciri-ciri ini membolehkan penjimatan tenaga dan faktor bentuk yang lebih kecil, menjadikan GaN sesuai untuk pelbagai aplikasi.
GaN menjadi bahan utama untuk semikonduktor kuasa, di samping silikon dan silikon-karbida, dan ditambah dengan topologi baharu, seperti hibrid fly-back dan pelaksanaan pelbagai peringkat.
Pada Februari 2022, Infineon mengumumkan menggandakan jurang lebar dengan melabur lebih daripada €2 bilion dalam fabrik hadapan baharu di Kulim, Malaysia, mengukuhkan kedudukan pasarannya.
Wafer pertama akan meninggalkan fab pada separuh kedua 2024, menambah kapasiti pembuatan jurang jalur lebar Infineon yang sedia ada di Villach, Austria.