“Ga N technologie maakt de weg vrij voor meer energie-efficiëntie en COXNUMX-uitstoot2-besparende oplossingen die decarbonisatie ondersteunen. De acceptatie in toepassingen zoals mobiel opladen, voedingen voor datacenters, residentiële omvormers voor zonne-energie en ingebouwde opladers voor elektrische voertuigen bevindt zich op het omslagpunt, wat leidt tot een dynamische marktgroei”, aldus Jochen Hanebeck (foto), CEO van Infineon. “De geplande overname van GaN Systems zal onze GaN-roadmap aanzienlijk versnellen, gebaseerd op ongeëvenaarde R&D-middelen, kennis van toepassingen en pijplijn van klantprojecten. 
Als een materiaal met brede bandgap biedt GaN klantwaarde door een hogere vermogensdichtheid, hogere efficiëntie en kleinere afmetingen, vooral bij hogere schakelfrequenties.
Deze eigenschappen maken energiebesparingen en kleinere vormfactoren mogelijk, waardoor GaN geschikt is voor een breed scala aan toepassingen.
GaN wordt een belangrijk materiaal voor vermogenshalfgeleiders, naast silicium en siliciumcarbide, en gekoppeld aan nieuwe topologieën, zoals hybride fly-back en implementaties op meerdere niveaus.
In februari 2022 kondigde Infineon aan de brede bandgap te verdubbelen door meer dan € 2 miljard te investeren in een nieuwe frontend-fab in Kulim, Maleisië, waarmee zijn marktpositie wordt versterkt.
De eerste wafels zullen de fabriek in de tweede helft van 2024 verlaten, wat bijdraagt aan de bestaande productiecapaciteiten van Infineon met brede bandgap in Villach, Oostenrijk.