“GaN teknologi membuka jalan bagi penggunaan energi yang lebih hemat dan CO2-solusi hemat yang mendukung dekarbonisasi. Adopsi dalam aplikasi seperti pengisian daya seluler, catu daya pusat data, inverter surya perumahan, dan pengisi daya onboard untuk kendaraan listrik berada pada titik kritis, mengarah ke pertumbuhan pasar yang dinamis,” kata Jochen Hanebeck (foto) CEO Infineon. “Akuisisi Sistem GaN yang direncanakan akan mempercepat peta jalan GaN kami secara signifikan, berdasarkan sumber daya Litbang yang tak tertandingi, pemahaman aplikasi, dan alur proyek pelanggan. 
Sebagai material celah pita lebar, GaN menawarkan nilai pelanggan dengan kerapatan daya yang lebih tinggi, efisiensi yang lebih tinggi, dan pengurangan ukuran, terutama pada frekuensi switching yang lebih tinggi.
Properti ini memungkinkan penghematan energi dan faktor bentuk yang lebih kecil, membuat GaN cocok untuk berbagai aplikasi.
GaN menjadi bahan utama untuk semikonduktor daya, bersama silikon dan silikon-karbida, dan digabungkan dengan topologi baru, seperti implementasi fly-back hybrid dan multi-level.
Pada bulan Februari 2022, Infineon mengumumkan penggandaan celah pita yang lebar dengan menginvestasikan lebih dari €2 miliar pada frontend fab baru di Kulim, Malaysia, memperkuat posisi pasarnya.
Wafer pertama akan meninggalkan fab pada paruh kedua tahun 2024, menambah kapasitas manufaktur celah pita lebar Infineon yang ada di Villach, Austria.