Échelle Weebit ReRAM à 28 nm

Weebit Nano et son partenaire de développement CEA-Leti ont démontré les paramètres de production de la mémoire résistive à accès aléatoire (ReRAM) de Weebit sans souci dans un processus de 28 nm.

Cette démonstration est une étape clé vers la production d'une mémoire non volatile (NVM) intégrée pour des applications telles que l'IA, la conduite autonome, la 5G et les processeurs avancés de l'Internet des objets (IoT).

Weebit et le CEA-Leti, l'institut de recherche français, ont conjointement testé, caractérisé et mesuré des matrices fonctionnelles ReRAM de 1 mégabit (Mo) dans une technologie de processus de 28 nm sur des plaquettes de 300 mm, le plus grand diamètre utilisé dans la production de masse et la norme dans les nœuds avancés.

Les matrices ReRAM 28 nm sont implémentées à l'aide d'un dispositif de commutation petit et économe en énergie, tirant pleinement parti des capacités de faible puissance et de basse tension du processus 28 nm, et permettant une augmentation jusqu'à 4 fois de la densité de mémoire. Test de celui de Weebit-Transistor-une-Resistor Les baies ReRAM (1T1R), intégrées dans du silicium entièrement appauvri sur isolant (FDSOI) 28 nm, ont pu prouver leur robustesse avec une très bonne endurance et une très bonne rétention des données ainsi que d'autres paramètres de qualité au niveau de la production.

Cette démonstration réussie de fiabilité et de robustesse à 28 nm est considérée comme positionnant fortement la technologie ReRAM de Weebit comme une technologie de mémoire clé dans NVM pour les processus avancés où il n'est plus techniquement ou économiquement possible d'intégrer la technologie de mémoire flash.

Commentant Weebit, le PDG Coby Hanoch a déclaré : « Weebit, grâce à son partenariat étroit avec le CEA-Leti, a déjà démontré les avantages significatifs de sa technologie ReRAM sur des géométries plus grandes, et nous avons maintenant montré que nous pouvons faire évoluer cette technologie avec succès jusqu'à 28 nm. Mark Liu, président de TSMC, la plus grande usine au monde, a récemment qualifié le 28 nm de « idéal pour nos applications de mémoire embarquée », car la géométrie 28 nm est largement déployée dans une gamme d'applications et est considérée comme la passerelle vers les nœuds de processus les plus avancés. »