Skala Weebit ReRAM hingga 28nm

Weebit Nano dan mitra pengembangannya CEA-Leti, telah mendemonstrasikan parameter tingkat produksi Resistive Random-Access Memory (ReRAM) Weebit teknologi dalam proses 28nm.

Demonstrasi ini merupakan langkah kunci menuju produksi Memori Non-Volatile (NVM) tertanam untuk aplikasi seperti AI, mengemudi otonom, 5G, dan prosesor Internet-of-Things (IoT) canggih.

Weebit dan CEA-Leti, lembaga penelitian Prancis, bersama-sama menguji, mengkarakterisasi, dan mengukur array ReRAM 1 Megabit (Mb) fungsional dalam teknologi proses 28nm pada wafer 300mm, diameter terbesar yang digunakan dalam produksi massal dan standar dalam node lanjutan.

Array ReRAM 28nm diimplementasikan menggunakan perangkat switching yang kecil dan hemat daya, memanfaatkan sepenuhnya kemampuan daya rendah dan tegangan rendah dari proses 28nm, dan memungkinkan peningkatan kepadatan memori hingga 4 kali lipat. Pengujian Weebit satu-Transistor-satu-Penghambat (1T1R) ReRAM array, tertanam dalam 28nm Fully Depleted Silicon on Insulator (FDSOI), mampu membuktikan ketahanannya dengan daya tahan dan retensi data yang sangat baik di samping parameter kualitas tingkat produksi lainnya.

Demonstrasi keandalan dan ketangguhan yang sukses pada 28nm ini dipandang sebagai memposisikan teknologi ReRAM Weebit sebagai teknologi memori utama dalam NVM untuk proses lanjutan yang tidak lagi layak secara teknis atau ekonomis untuk menyematkan teknologi memori flash.

Mengomentari Weebit, CEO Coby Hanoch mengatakan, “Weebit, melalui kemitraannya yang erat dengan CEA-Leti, telah menunjukkan keunggulan signifikan dari teknologi ReRAM-nya pada geometri yang lebih besar, dan kami sekarang telah menunjukkan bahwa kami dapat berhasil menskalakan teknologi ini hingga 28nm. Mark Liu, Ketua TSMC, pabrikan terbesar di dunia, baru-baru ini menyebut 28nm 'titik manis untuk aplikasi memori tertanam kami' karena geometri 28nm digunakan secara luas di berbagai aplikasi dan dianggap sebagai pintu gerbang ke node proses paling canggih.”