Quy mô Weebit ReRAM đến 28nm
Weebit Nano và đối tác phát triển CEA-Leti, đã trình diễn các thông số cấp sản xuất của Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên điện trở (ReRAM) của Weebit công nghệ trong quy trình 28nm.
Cuộc trình diễn này là một bước quan trọng trong việc sản xuất Bộ nhớ không bay hơi (NVM) được nhúng cho các ứng dụng như AI, lái xe tự động, 5G và bộ xử lý Internet-of-Things (IoT) tiên tiến.
Weebit và CEA-Leti, viện nghiên cứu của Pháp, đã cùng nhau thử nghiệm, đặc trưng và đo lường các mảng ReRAM 1 Megabit (Mb) chức năng trong công nghệ quy trình 28nm trên tấm wafer 300mm, đường kính lớn nhất được sử dụng trong sản xuất hàng loạt và là tiêu chuẩn trong các nút nâng cao.
Các mảng ReRAM 28nm được thực hiện bằng cách sử dụng một thiết bị chuyển mạch nhỏ và tiết kiệm điện, tận dụng tối đa khả năng năng lượng thấp và điện áp thấp của quy trình 28nm, đồng thời cho phép tăng mật độ bộ nhớ lên đến 4 lần. Thử nghiệm của Weebit's one-Transistor-một-Điện trở (1T1R) Mảng ReRAM, được nhúng trong 28nm hoàn toàn cạn kiệt Silicon trên chất cách điện (FDSOI), đã có thể chứng minh sự mạnh mẽ của nó với độ bền và khả năng lưu giữ dữ liệu rất tốt cùng với các thông số chất lượng cấp độ sản xuất khác.
Sự chứng minh thành công về độ tin cậy và mạnh mẽ ở bước sóng 28nm này được coi là định vị mạnh mẽ công nghệ ReRAM của Weebit như một công nghệ bộ nhớ quan trọng trong NVM cho các quy trình tiên tiến, nơi không còn khả thi về mặt kỹ thuật hoặc kinh tế để nhúng công nghệ bộ nhớ flash.
Nhận xét về Weebit, Giám đốc điều hành Coby Hanoch cho biết, “Weebit, thông qua quan hệ đối tác chặt chẽ với CEA-Leti, đã chứng minh những lợi thế đáng kể của công nghệ ReRAM ở các hình học lớn hơn và hiện chúng tôi đã chứng minh rằng chúng tôi có thể mở rộng thành công công nghệ này xuống 28nm. Mark Liu, Chủ tịch TSMC, tập đoàn lớn nhất thế giới, gần đây đã gọi 28nm là 'điểm hấp dẫn cho các ứng dụng bộ nhớ nhúng của chúng tôi' vì hình học 28nm được triển khai rộng rãi trong một loạt các ứng dụng và được coi là cổng vào các nút quy trình tiên tiến nhất. "