Weebit scala ReRAM ad 28nm

Renovatio: die 5 Octobris 2021

Weebit scala ReRAM ad 28nm

Weebit scala ReRAM ad 28nm

Weebit Nano et particeps eius progressionis CEA-Leti demonstraverunt productionem graduum ambitum resistentis Random-Access Memoriae Weebit (ReRAM) Technology in 28nm processus.

Haec demonstratio gradus est praecipuus ad productionem memoriae Non volatilis (NVM) applicationes ut AI, incessus sui iuris, 5G, et processuum interretialium rerum (IOT) processuum.

Weebit et CEA-Leti, Instituti investigationis Gallicae, coniunctim probatae, characteristae et mensuratae functionis 1 Megabit (Mb) ReRAM vestit in technologia 28nm processuum in 300mm laganis, maxima diametri in massa productionis et norma in nodis provectis adhibita.

28nm ReRAM vestit utentes parvae et efficaces commutationes machinae adhibentur, cum plena utilitas humilitatis potentiae et humilium capacitatum 28nm processuum voltagenarum, et ut usque ad 4 tempora crescat in memoriam densitatis. Testis Weebit one-Gallium-unus-resistor (1T1R) ReRAM vestit, in 28nm inclusa plene peractum Silicon in Insulator (FDSOI), suam fortitudinem cum optima patientia et retentione data probare potuit cum aliis parametris productionis gradus qualitatis.

Haec felix demonstratio firmitatis et roboris in 28nm technologiam Weebit ReRAM tam fortiter collocatam cernitur ut technologiae memoriae clavis in NVM processibus provectis, ubi iam non technice vel oeconomice fieri potest ut in ictu memoriae technologiae emigretur.

Commentans Weebit, CEO Coby Hanoch dixit "Weebit, per arctam societatem cum CEA-Leti, significans utilitates ReRAM technologiarum suarum in amplioribus geometricis iam demonstravit, et iam ostendimus nos feliciter hanc technologiam usque ad 28nm conscendere posse". Mark Liu, praeses TSMC, maximae fabe mundi, nuper 28nm appellatus, 'dulce macula ad applicationes memoriae nostrae infixa', quoniam 28nm geometria in amplis applicationibus late explicatur et porta ad nodos processum antecedens habetur.