ReRAM skala Weebit hingga 28nm

Weebit Nano dan rakan pembangunannya CEA-Leti, telah menunjukkan parameter peringkat pengeluaran Memori Akses Rawak Resistif Weebit (ReRAM) teknologi dalam proses 28nm.

Demonstrasi ini adalah langkah utama untuk menghasilkan Memori Non-Volatile (NVM) tertanam untuk aplikasi seperti pemproses AI, pemanduan autonomi, 5G, dan Internet-of-Things (IoT) canggih.

Weebit dan CEA-Leti, institut penyelidikan Perancis, bersama-sama menguji, mencirikan dan mengukur susunan ReRAM 1 Megabit (Mb) berfungsi dalam teknologi proses 28nm pada wafer 300mm, diameter terbesar yang digunakan dalam pengeluaran besar-besaran dan standard dalam nod maju.

Susunan ReRAM 28nm dilaksanakan menggunakan peranti pensuisan kecil dan cekap kuasa, memanfaatkan sepenuhnya keupayaan daya rendah dan voltan rendah dari proses 28nm, dan memungkinkan peningkatan kepadatan memori hingga 4 kali ganda. Ujian Weebit's satu-Transistor-satu-Perintang (1T1R) Susun atur ReRAM, tertanam dalam Silikon Penuh Penuh 28nm (FDSOI), dapat membuktikan ketahanannya dengan daya tahan dan pengekalan data yang sangat baik di samping parameter kualiti tahap pengeluaran yang lain.

Demonstrasi kebolehpercayaan dan ketahanan yang berjaya ini pada jarak 28nm dilihat sebagai kedudukan kuat teknologi ReRAM Weebit sebagai teknologi memori utama di NVM untuk proses lanjutan di mana teknologi atau memori tidak lagi layak untuk menyematkan teknologi memori kilat.

Mengulas Weebit, Ketua Pegawai Eksekutif Coby Hanoch mengatakan, "Weebit, melalui kerjasama erat dengan CEA-Leti, telah menunjukkan kelebihan yang signifikan dari teknologi ReRAMnya pada geometri yang lebih besar, dan kami sekarang telah menunjukkan bahawa kami dapat berjaya meningkatkan teknologi ini hingga 28nm. Mark Liu, Ketua TSMC, fab terbesar di dunia, baru-baru ini menyebut 28nm 'tempat manis untuk aplikasi memori tertanam kami' kerana geometri 28nm banyak digunakan dalam pelbagai aplikasi dan dianggap sebagai pintu masuk ke node proses yang paling maju. "