Setelah salah urus startup DRAM domestik China yang kacau balau, dibantu dan didukung oleh sanksi AS, China kekurangan kapasitas DRAM yang dimiliki di dalam negeri.
Hynix adalah satu-satunya pemasok utama yang memiliki fab di China – di Wuxi – tetapi produksi dari Wuxi telah turun dan Hynix telah memilih Korea untuk DRAM berikutnya hebat
Samsung dan Micron tidak memiliki kapasitas DRAM di China dan rencana mereka untuk ekspansi di masa depan masing-masing akan fokus di Korea dan AS.
Perkiraan TrendForce, berdasarkan rencana ketiga pemasok ini, adalah bahwa porsi Korea dalam kapasitas DRAM global akan terus meningkat sementara China akan menurun YoY, turun dari 14% menjadi 12% pada tahun 2025.
Dalam kasus NAND, AS telah menyatakan bahwa pembatasan perluasan terutama berlaku untuk proses dengan kurang dari 128 lapisan.
Samsung Xi'an fab terus berfokus pada proses 128 lapis dan menyumbang sekitar 17% dari kapasitas Flash NAND global; fab Intel di Dalian, yang diakuisisi oleh Hynix, menyumbang 9% dari kapasitas NAND global.
Namun, Samsung dan Hynix tidak mungkin memperluas lini produksi lama mereka karena produk 128 lapis tidak akan mampu bersaing dengan produk yang lebih maju.
Rencana yang melibatkan proses peningkatan teknologi dan peningkatan kapasitas produksi pada operasi manufaktur di Tiongkok akan sangat terbatas.
Secara keseluruhan, pangsa kapasitas NAND Flash global China diperkirakan akan turun dari 31% menjadi 18% pada tahun 2025.
TrendForce memprediksi pembentukan dua wilayah produksi yang berbeda: pabrik-pabrik China yang terutama berfokus pada pemenuhan permintaan domestik, dan pabrik-pabrik di luar China yang akan melayani pasar lain.
Lihat lebih banyak: modul IGBT | Layar LCD | Komponen Elektronik