Çin'deki yerel DRAM girişimlerinin ABD yaptırımlarının yardımıyla ve teşvikiyle kaotik bir şekilde kötü yönetilmesinin ardından Çin, yerel olarak sahip olunan herhangi bir DRAM kapasitesine sahip değil.
Hynix, Çin'de Wuxi'de fabrikası olan tek büyük tedarikçi ancak Wuxi'den gelen üretim düştü ve Hynix bir sonraki DRAM'i için Kore'yi seçti muhteşem.
Samsung ve Micron'un Çin'de DRAM kapasitesi yok ve gelecekteki genişleme planları sırasıyla Kore ve ABD'ye odaklanacak.
Bu üç tedarikçinin planlarına dayanan TrendForce tahminleri, Kore'nin küresel DRAM kapasitesindeki payının artmaya devam edeceği, Çin'in ise 14 yılına kadar %12'ten %2025'ye düşeceği yönünde.
NAND örneğinde ABD, genişlemeye ilişkin kısıtlamaların çoğunlukla 128'den az katmana sahip süreçler için geçerli olduğunu belirtti.
Samsung'un Xi'an fabrikası 128 katmanlı işlemlere odaklanmaya devam ediyor ve küresel NAND Flash kapasitesinin yaklaşık %17'sini oluşturuyor; Hynix tarafından satın alınan Dalian'daki Intel fabrikası, satışların %9'unu oluşturuyor küresel NAND kapasitesi.
Ancak 128 katmanlı ürünler daha gelişmiş ürünlerle rekabet edemeyecekleri için Samsung ve Hynix'in eski üretim hatlarını genişletmesi pek mümkün görünmüyor.
Yükseltme sürecini içeren planlar teknoloji ve Çin'deki imalat operasyonlarında üretim kapasitesinin arttırılması ciddi şekilde sınırlı olacaktır.
Sonuç olarak, Çin'in küresel NAND Flash kapasitesindeki payının 31 yılına kadar %18'den %2025'e düşmesi bekleniyor.
TrendForce, iki farklı üretim bölgesinin oluşmasını öngörüyor: Öncelikle iç talebi karşılamaya odaklanan Çin fabrikaları ve Çin dışındaki diğer pazarlara hizmet edecek fabrikalar.
Daha fazla göster : IGBT modülleri | LCD ekranlar | Elektronik Bileşenler