Na chaotisch wanbeheer van binnenlandse DRAM-startups in China, geholpen en aangemoedigd door Amerikaanse sancties, heeft China geen DRAM-capaciteit in eigen bezit.
Hynix is de enige grote leverancier met een fabriek in China – in Wuxi – maar de output van Wuxi is gedaald en Hynix heeft Korea gekozen voor zijn volgende DRAM geweldig.
Samsung en Micron hebben geen DRAM-capaciteit in China en hun plannen voor toekomstige uitbreiding zullen gericht zijn op respectievelijk Korea en de VS.
Schattingen van TrendForce, gebaseerd op de plannen van deze drie leveranciers, zijn dat het aandeel van Korea in de wereldwijde DRAM-capaciteit zal blijven stijgen, terwijl dat van China op jaarbasis zal afnemen, van 14% naar 12% in 2025.
In het geval van NAND hebben de VS aangegeven dat uitbreidingsbeperkingen vooral gelden voor processen met minder dan 128 lagen.
De Xi'an-fab van Samsung blijft zich richten op processen met 128 lagen en is goed voor ongeveer 17% van de wereldwijde NAND Flash-capaciteit; de Intel-fab in Dalian, die werd overgenomen door Hynix, is goed voor 9% van wereldwijde NAND-capaciteit.
Het is echter onwaarschijnlijk dat Samsung en Hynix hun oude productielijnen zullen uitbreiden, aangezien producten met 128 lagen niet kunnen concurreren met geavanceerdere.
De plannen met betrekking tot het upgradeproces technologie en het verhogen van de productiecapaciteit bij productiebedrijven in China zal ernstig beperkt zijn.
Al met al zal het aandeel van China in de wereldwijde NAND Flash-capaciteit naar verwachting dalen van 31% naar 18% in 2025.
TrendForce voorspelt de vorming van twee verschillende productieregio's: Chinese fabrieken die zich primair richten op het voldoen aan de binnenlandse vraag, en fabrieken buiten China die andere markten gaan bedienen.
Bekijk meer : IGBT-modules | LCD-schermen | Elektronische Componenten