미국의 제재로 인해 중국 국내 DRAM 신생 기업이 혼란스럽게 잘못 관리된 후 중국은 국내 소유 DRAM 용량이 부족합니다.
하이닉스는 중국 무석(Wuxi)에 팹을 보유한 유일한 주요 공급업체이지만 무석(Wuxi)의 생산량이 감소하고 하이닉스는 차기 DRAM으로 한국을 선택했습니다. 팹.
삼성과 마이크론은 중국에 DRAM 생산능력이 없으며 향후 증설 계획은 각각 한국과 미국에 집중될 예정이다.
TrendForce는 이들 14개 공급업체의 계획을 기반으로 12년까지 한국의 글로벌 DRAM 용량 점유율이 계속 증가하는 반면 중국의 점유율은 전년 대비 감소하여 2025%에서 XNUMX%로 떨어질 것으로 추정했습니다.
낸드의 경우 미국은 증설 제한이 주로 128단 이하 공정에 적용된다고 밝힌 바 있다.
삼성의 시안 팹은 계속해서 128단 공정에 집중하고 있으며 전 세계 NAND 플래시 용량의 약 17%를 차지합니다. 하이닉스가 인수한 다롄 인텔 팹은 전체 매출의 9%를 차지한다. 글로벌 낸드 용량
그러나 삼성과 하이닉스는 128단 제품이 더 선진 제품과 경쟁할 수 없기 때문에 기존 생산 라인을 확장할 가능성은 낮다.
업그레이드 프로세스와 관련된 계획 technology 중국 내 제조 시설의 생산 능력 확대는 심각하게 제한될 것입니다.
전체적으로 중국의 글로벌 NAND 플래시 용량 점유율은 31년까지 18%에서 2025%로 떨어질 것으로 예상됩니다.
TrendForce는 두 가지 독특한 생산 지역의 형성을 예측합니다. 주로 국내 수요 충족에 초점을 맞추는 중국 공장과 다른 시장에 서비스를 제공할 중국 외부 공장입니다.