После хаотического неумелого управления китайскими стартапами DRAM, чему способствовали и поощрялись санкции США, Китаю не хватает внутренних мощностей DRAM.
Hynix — единственный крупный поставщик, у которого есть завод в Китае — в Уси, — но производство в Уси упало, и Hynix выбрала Корею для своей следующей DRAM. потрясающий
У Samsung и Micron нет мощностей DRAM в Китае, и их планы по будущему расширению будут сосредоточены на Корее и США соответственно.
По оценкам TrendForce, основанным на планах этих трех поставщиков, доля Кореи в глобальных мощностях DRAM будет продолжать расти, а доля Китая будет снижаться в годовом исчислении, упав с 14% до 12% к 2025 году.
В случае NAND США заявили, что ограничения на расширение в основном применяются к процессам с менее чем 128 слоями.
Фабрика Samsung в Сиане по-прежнему сосредоточена на 128-слойных процессах, и на ее долю приходится примерно 17% мировой емкости флэш-памяти NAND; завод Intel в Даляне, который был приобретен Hynix, составляет 9% глобальная емкость NAND.
Однако Samsung и Hynix вряд ли будут расширять свои старые производственные линии, поскольку 128-слойные продукты не смогут конкурировать с более продвинутыми.
Планы по обновлению technology а увеличение производственных мощностей производственных предприятий в Китае будет строго ограничено.
В целом ожидается, что к 31 году доля Китая в мировом объеме флэш-памяти NAND упадет с 18% до 2025%.
TrendForce прогнозирует формирование двух отдельных производственных регионов: китайских заводов, которые в первую очередь ориентированы на удовлетворение внутреннего спроса, и заводов за пределами Китая, которые будут обслуживать другие рынки.
Посмотреть больше: Модули IGBT | ЖК-дисплеи | Электронные компоненты