Após a má administração caótica das startups domésticas de DRAM na China, auxiliadas e incentivadas pelas sanções dos EUA, a China carece de qualquer capacidade de DRAM de propriedade doméstica.
A Hynix é o único grande fornecedor a ter uma fábrica na China – em Wuxi – mas a produção de Wuxi caiu e a Hynix escolheu a Coreia para sua próxima DRAM fabuloso.
A Samsung e a Micron não têm capacidade de DRAM na China e seus planos de expansão futura se concentrarão na Coréia e nos EUA, respectivamente.
As estimativas da TrendForce, com base nos planos desses três fornecedores, são de que a participação da Coreia na capacidade global de DRAM continuará aumentando, enquanto a da China diminuirá ano a ano, caindo de 14% para 12% até 2025.
No caso do NAND, os EUA afirmaram que as restrições à expansão se aplicam principalmente a processos com menos de 128 camadas.
A fábrica de Xi'an da Samsung continua focada em processos de 128 camadas e responde por aproximadamente 17% da capacidade global NAND Flash; a fábrica da Intel em Dalian, que foi adquirida pela Hynix, responde por 9% do capacidade NAND global.
No entanto, é improvável que a Samsung e a Hynix expandam suas antigas linhas de produção, pois os produtos de 128 camadas não poderão competir com os mais avançados.
Os planos envolvendo o processo de modernização tecnologia e o aumento da capacidade de produção nas operações de produção na China será severamente limitado.
Ao todo, espera-se que a participação da China na capacidade global NAND Flash caia de 31% para 18% até 2025.
A TrendForce prevê a formação de duas regiões de produção distintas: fábricas chinesas que se concentram principalmente em atender à demanda doméstica e fábricas fora da China que atenderão a outros mercados.
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