Modul IGBT Vishay VS-200MT160K

Vishay VS-200MT160K adalah IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi) modul dirancang untuk aplikasi elektronika daya. Berikut beberapa fitur dan spesifikasi utama modul ini:

Fitur:

  1. Kompatibilitas Paket: Modul ini sepenuhnya kompatibel dengan seri modul daya INT-A-PAK standar industri. Artinya, modul ini dapat digunakan sebagai pengganti drop-in dalam sistem yang dirancang untuk modul INT-A-PAK.
  2. Konduktivitas Termal Tinggi: Paket ini memiliki konduktivitas termal yang tinggi, yang membantu menghilangkan panas secara efisien. Pembuangan panas yang efisien sangat penting untuk pengoperasian komponen elektronika daya yang andal.
  3. Kasus Terisolasi Listrik: Casing modul diisolasi secara elektrik, yang penting untuk mencegah korsleting listrik dan memastikan keselamatan perangkat dan operator.
  4. Kehilangan Daya Rendah: Modul ini dirancang dengan kehilangan daya yang rendah, yang berarti efisien dalam mengubah daya listrik menjadi bentuk lain tanpa kehilangan energi yang signifikan.
  5. Rasio Volume Daya: Ia menawarkan rasio volume daya yang sangat baik, yang berarti ia memberikan kemampuan penanganan daya yang tinggi dalam paket yang relatif kompak. Garis besar modul dirancang untuk memudahkan koneksi ke transistor daya dan modul IGBT lainnya.
  6. Mengisolasi Tegangan: Ini memiliki tegangan isolasi tinggi 1600 VRMS (Volts Root Mean Square), yang membantu memastikan isolasi listrik antara berbagai bagian rangkaian.
  7. Disetujui UL: Modul ini disetujui UL E78996, yang menunjukkan bahwa modul tersebut memenuhi standar keselamatan dan kinerja yang ditetapkan oleh Underwriters Laboratories (UL).
  8. Tingkat Industri: Ini dirancang dan memenuhi syarat untuk aplikasi tingkat industri, yang berarti cocok untuk digunakan di lingkungan industri yang menuntut.

Peringkat dan Karakteristik Maksimum:

  • Kolektor-Emitor Tegangan (Vces): 1600V
  • Tegangan Gerbang-Emitter (VGES): ±20V
  • Arus Kolektor (Ic): 200A
  • Arus Kolektor (Icp, Puncak): 400A
  • Disipasi Daya Kolektor (Pc): 1270W
  • Tegangan Kolektor-Emitor (VCES): 2500V (Ini kemungkinan merupakan tegangan rusaknya)
  • Temperatur Pengoperasian Persimpangan (Tj): +150°C
  • Suhu Penyimpanan (Tstg): -40 hingga +125°C
  • Torsi Sekrup Pemasangan: 3.5 * 1 N·m

Modul ini tampaknya merupakan modul IGBT yang kuat dan berdaya tinggi yang cocok untuk berbagai aplikasi industri dan elektronika daya, terutama yang memerlukan kemampuan penanganan arus dan tegangan tinggi. Harap dicatat bahwa spesifikasi ini diberikan pada kondisi pengoperasian tertentu (Tc=25°C), dan kinerja modul dapat bervariasi pada kondisi yang berbeda. Sangat penting untuk mengikuti pedoman dan lembar data pabrikan saat menggunakan komponen tersebut dalam desain Anda.