Der Vishay VS-200MT160K ist ein IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) Modulen Entwickelt für Leistungselektronikanwendungen. Hier sind einige wichtige Funktionen und Spezifikationen dieses Moduls:
Merkmale:
- Paketkompatibilität: Das Modul ist vollständig kompatibel mit der Industriestandard-Leistungsmodulserie INT-A-PAK. Dies bedeutet, dass es als Drop-in-Ersatz in Systemen verwendet werden kann, die für INT-A-PAK-Module ausgelegt sind.
- Hohe Wärmeleitfähigkeit: Das Gehäuse verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit, was zu einer effizienten Wärmeableitung beiträgt. Eine effiziente Wärmeableitung ist entscheidend für den zuverlässigen Betrieb leistungselektronischer Komponenten.
- Elektrisch isoliertes Gehäuse: Das Gehäuse des Moduls ist elektrisch isoliert, was wichtig ist, um Kurzschlüsse zu vermeiden und die Sicherheit des Geräts und der Bediener zu gewährleisten.
- Geringer Leistungsverlust: Das Modul ist auf geringe Verlustleistung ausgelegt, was bedeutet, dass es elektrische Energie effizient und ohne nennenswerten Energieverlust in andere Formen umwandelt.
- Leistungs-Volumen-Verhältnis: Es bietet ein hervorragendes Leistungs-Volumen-Verhältnis, was bedeutet, dass es eine hohe Belastbarkeit in einem relativ kompakten Paket bietet. Der Umriss des Moduls ist für den einfachen Anschluss an Leistungstransistoren und andere IGBT-Module ausgelegt.
- Isolierspannung: Es verfügt über eine hohe Isolationsspannung von 1600 VRMS (Volts Root Mean Square), die dazu beiträgt, die elektrische Isolierung zwischen verschiedenen Teilen des Stromkreises sicherzustellen.
- UL-zugelassen: Das Modul ist nach UL E78996 zugelassen, was bedeutet, dass es die von Underwriters Laboratories (UL) festgelegten Sicherheits- und Leistungsstandards erfüllt.
- Industrielles Niveau: Es ist für Anwendungen auf Industrieniveau konzipiert und qualifiziert, was bedeutet, dass es für den Einsatz in anspruchsvollen Industrieumgebungen geeignet ist.
Maximale Bewertungen und Eigenschaften:
- Kollektor-Emitter-Spannung (Vces): 1600 V
- Gate-Emitter-Spannung (VGES): ±20 V
- Kollektorstrom (Ic): 200A
- Kollektorstrom (Icp, Spitze): 400 A
- Kollektorverlustleistung (PC): 1270 W
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 2500 V (Dies ist wahrscheinlich eine Durchbruchspannung)
- Betriebstemperatur der Sperrschicht (Tj): +150 °C
- Lagertemperatur (Tstg): -40 bis +125 °C
- Drehmoment der Befestigungsschraube: 3.5 * 1 N·m
Dieses Modul scheint ein robustes und leistungsstarkes IGBT-Modul zu sein, das für verschiedene Industrie- und Leistungselektronikanwendungen geeignet ist, insbesondere für solche, die hohe Spannungs- und Stromverarbeitungsfähigkeiten erfordern. Bitte beachten Sie, dass diese Spezifikationen für bestimmte Betriebsbedingungen gelten (Tc=25 °C) und die Leistung des Moduls unter verschiedenen Bedingungen variieren kann. Wenn Sie solche Komponenten in Ihren Designs verwenden, müssen Sie unbedingt die Richtlinien und Datenblätter des Herstellers befolgen.