Il Vishay VS-200MT160K è un IGBT (Transistor bipolare a gate isolato) modulo progettato per applicazioni di elettronica di potenza. Ecco alcune caratteristiche e specifiche chiave di questo modulo:
Caratteristiche:
- Compatibilità del pacchetto: Il modulo è completamente compatibile con la serie di moduli di alimentazione INT-A-PAK standard del settore. Ciò significa che può essere utilizzato come sostituto immediato nei sistemi progettati per i moduli INT-A-PAK.
- Alta conducibilità termica: Il pacchetto ha un'elevata conduttività termica, che aiuta a dissipare il calore in modo efficiente. Una dissipazione efficiente del calore è fondamentale per il funzionamento affidabile dei componenti elettronici di potenza.
- Custodia elettricamente isolata: L'involucro del modulo è isolato elettricamente, il che è importante per prevenire cortocircuiti elettrici e garantire la sicurezza del dispositivo e degli operatori.
- Bassa perdita di potenza: Il modulo è progettato per una bassa perdita di potenza, il che significa che è efficiente nel convertire l'energia elettrica in altre forme senza significative perdite di energia.
- Rapporto volume potenza: Offre un eccellente rapporto volume potenza, il che significa che fornisce un'elevata capacità di gestione della potenza in un pacchetto relativamente compatto. La struttura del modulo è progettata per facilitare i collegamenti ai transistor di potenza e ad altri moduli IGBT.
- Tensione di isolamento: Ha un'elevata tensione di isolamento di 1600 VRMS (Volts Root Mean Square), che aiuta a garantire l'isolamento elettrico tra le diverse parti del circuito.
- Approvato UL: Il modulo è approvato UL E78996, il che indica che soddisfa gli standard di sicurezza e prestazioni stabiliti da Underwriters Laboratories (UL).
- Livello industriale: È progettato e qualificato per applicazioni di livello industriale, il che significa che è adatto per l'uso in ambienti industriali esigenti.
Valutazioni e caratteristiche massime:
- Tensione collettore-emettitore (Vces): 1600V
- Tensione gate-emettitore (VGES): ±20V
- Corrente del collettore (Ic): 200A
- Corrente di collettore (Icp, Picco): 400 A
- Dissipazione di potenza del collettore (PC): 1270 W
- Tensione collettore-emettitore (VCES): 2500 V (probabilmente è una tensione di rottura)
- Temperatura operativa di giunzione (Tj): +150°C
- Temperatura di stoccaggio (Tstg): da -40 a +125°C
- Coppia della vite di montaggio: 3.5 * 1 N·m
Questo modulo sembra essere un modulo IGBT robusto e ad alta potenza adatto a varie applicazioni industriali e di elettronica di potenza, in particolare quelle che richiedono capacità di gestione di corrente e alta tensione. Si prega di notare che queste specifiche sono fornite a condizioni operative specifiche (Tc=25°C) e le prestazioni del modulo possono variare in condizioni diverse. È essenziale seguire le linee guida e le schede tecniche del produttore quando si utilizzano tali componenti nei progetti.