Vishay VS-200MT160K — это IGBT (Биполярный транзистор с изолированным затвором) модуль предназначен для применения в силовой электронике. Вот некоторые ключевые особенности и характеристики этого модуля:
Особенности:
- Совместимость пакетов: Модуль полностью совместим со стандартной серией модулей питания INT-A-PAK. Это означает, что его можно использовать в качестве замены в системах, предназначенных для модулей INT-A-PAK.
- Высокая теплопроводность: Пакет имеет высокую теплопроводность, что помогает эффективно рассеивать тепло. Эффективное рассеивание тепла имеет решающее значение для надежной работы компонентов силовой электроники.
- Электрически изолированный корпус: Корпус модуля электрически изолирован, что важно для предотвращения замыканий и обеспечения безопасности устройства и операторов.
- Низкая потеря мощности: Модуль спроектирован с учетом низких потерь мощности, что означает, что он эффективно преобразует электроэнергию в другие формы без значительных потерь энергии.
- Коэффициент мощности: Он предлагает превосходное соотношение мощности и объема, что означает, что он обеспечивает высокую мощность в относительно компактном корпусе. Конструкция модуля разработана для удобного подключения к силовым транзисторам и другим модулям IGBT.
- Изолирующее напряжение: Он имеет высокое изолирующее напряжение 1600 Вэфф (среднеквадратическое значение вольт), что помогает обеспечить электрическую изоляцию между различными частями цепи.
- Утверждено UL: Модуль одобрен UL E78996, что означает, что он соответствует стандартам безопасности и производительности, установленным Underwriters Laboratories (UL).
- Промышленный уровень: Он разработан и сертифицирован для применения на промышленном уровне, что означает, что он подходит для использования в сложных промышленных условиях.
Максимальные рейтинги и характеристики:
- Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 1600 В
- Напряжение затвор-эмиттер (VGES): ± 20 В
- Ток коллектора (Ic): 200А
- Ток коллектора (Icp, пик): 400А
- Рассеиваемая мощность коллектора (ПК): 1270 Вт
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 2500 В (вероятно, это напряжение пробоя)
- Рабочая температура перехода (Tj): +150°C
- Температура хранения (Tstg): от -40 до +125°C
- Момент затяжки монтажного винта: 3.5 * 1 Н·м
Этот модуль представляет собой надежный и мощный IGBT-модуль, подходящий для различных приложений промышленной и силовой электроники, особенно тех, которые требуют возможности работы с высоким напряжением и током. Обратите внимание, что эти характеристики даны для конкретных условий эксплуатации (Tc=25°C), и производительность модуля может меняться в зависимости от условий. При использовании таких компонентов в своих конструкциях важно следовать рекомендациям и техническим характеристикам производителя.