Módulo IGBT Vishay VS-200MT160K

Atualização: 4 de outubro de 2023 Tags:1600v200a2500v400aicIGBTmódulotransistorVishay

O Vishay VS-200MT160K é um IGBT (Transistor bipolar de porta isolada) módulo projetado para aplicações em eletrônica de potência. Aqui estão alguns recursos e especificações principais deste módulo:

Características:

  1. Compatibilidade do pacote: O módulo é totalmente compatível com a série de módulos de potência INT-A-PAK padrão da indústria. Isso significa que ele pode ser usado como substituto imediato em sistemas projetados para módulos INT-A-PAK.
  2. Alta Condutividade Térmica: A embalagem possui alta condutividade térmica, o que ajuda a dissipar o calor com eficiência. A dissipação de calor eficiente é crucial para a operação confiável dos componentes eletrônicos de potência.
  3. Caso eletricamente isolado: A caixa do módulo é isolada eletricamente, o que é importante para evitar curtos-circuitos e garantir a segurança do dispositivo e dos operadores.
  4. Baixa perda de energia: O módulo foi projetado para baixa perda de energia, o que significa que é eficiente na conversão de energia elétrica em outras formas sem perda significativa de energia.
  5. Relação de volume de potência: Ele oferece uma excelente relação volume de potência, o que significa que fornece alta capacidade de gerenciamento de potência em um pacote relativamente compacto. O contorno do módulo foi projetado para facilitar conexões com transistores de potência e outros módulos IGBT.
  6. Tensão de isolamento: Possui uma alta tensão de isolamento de 1600 VRMS (Volts Root Mean Square), o que ajuda a garantir o isolamento elétrico entre as diferentes partes do circuito.
  7. Aprovado pela UL: O módulo possui aprovação UL E78996, o que indica que atende aos padrões de segurança e desempenho definidos pelo Underwriters Laboratories (UL).
  8. Nível Industrial: Ele foi projetado e qualificado para aplicações de nível industrial, o que significa que é adequado para uso em ambientes industriais exigentes.

Classificações e características máximas:

  • Tensão Coletor-Emissor (Vces): 1600V
  • Tensão Gate-Emissor (VGES): ±20V
  • Corrente do Coletor (Ic): 200A
  • Corrente do coletor (Icp, pico): 400A
  • Dissipação de energia do coletor (Pc): 1270W
  • Tensão Coletor-Emissor (VCES): 2500V (provavelmente é uma tensão de ruptura)
  • Temperatura da Junção Operacional (Tj): +150°C
  • Temperatura de armazenamento (Tstg): -40 a +125°C
  • Torque do parafuso de montagem: 3.5 * 1 N·m

Este módulo parece ser um módulo IGBT robusto e de alta potência, adequado para diversas aplicações industriais e de eletrônica de potência, especialmente aquelas que exigem capacidade de manipulação de alta tensão e corrente. Observe que essas especificações são fornecidas em condições operacionais específicas (Tc=25°C) e o desempenho do módulo pode variar sob diferentes condições. É essencial seguir as orientações e fichas técnicas do fabricante ao usar esses componentes em seus projetos.