El Vishay VS-200MT160K es un IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) módulo Diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia. Estas son algunas de las características y especificaciones clave de este módulo:
Características:
- Compatibilidad del paquete: El módulo es totalmente compatible con la serie de módulos de alimentación INT-A-PAK estándar de la industria. Esto significa que se puede utilizar como reemplazo directo en sistemas diseñados para módulos INT-A-PAK.
- Alta conductividad térmica: El paquete tiene una alta conductividad térmica, lo que ayuda a disipar el calor de manera eficiente. La disipación de calor eficiente es crucial para el funcionamiento confiable de los componentes electrónicos de potencia.
- Caja aislada eléctricamente: La carcasa del módulo está aislada eléctricamente, lo cual es importante para evitar cortocircuitos eléctricos y garantizar la seguridad del dispositivo y de los operadores.
- Baja pérdida de potencia: El módulo está diseñado para una baja pérdida de energía, lo que significa que es eficiente para convertir energía eléctrica en otras formas sin una pérdida significativa de energía.
- Relación de volumen de energía: Ofrece una excelente relación potencia-volumen, lo que significa que proporciona una alta capacidad de manejo de potencia en un paquete relativamente compacto. El contorno del módulo está diseñado para facilitar las conexiones a transistores de potencia y otros módulos IGBT.
- Voltaje de aislamiento: Tiene un alto voltaje de aislamiento de 1600 VRMS (Volts Root Mean Square), lo que ayuda a garantizar el aislamiento eléctrico entre las diferentes partes del circuito.
- Aprobado por UL: El módulo cuenta con la aprobación UL E78996, lo que indica que cumple con los estándares de seguridad y rendimiento establecidos por Underwriters Laboratories (UL).
- Nivel Industrial: Está diseñado y calificado para aplicaciones de nivel industrial, lo que significa que es adecuado para su uso en entornos industriales exigentes.
Calificaciones y características máximas:
- Voltaje Colector-Emisor (Vces): 1600V
- Voltaje de puerta-emisor (VGES): ±20V
- Corriente de colector (Ic): 200A
- Corriente del colector (Icp, pico): 400 A.
- Disipación de potencia del colector (Pc): 1270W
- Voltaje colector-emisor (VCES): 2500 V (probablemente se trate de un voltaje de ruptura)
- Temperatura de unión operativa (Tj): +150°C
- Temperatura de almacenamiento (Tstg): -40 a +125°C
- Par de apriete del tornillo de montaje: 3.5 * 1 N·m
Este módulo parece ser un módulo IGBT robusto y de alta potencia adecuado para diversas aplicaciones industriales y de electrónica de potencia, especialmente aquellas que requieren capacidades de manejo de corriente y alto voltaje. Tenga en cuenta que estas especificaciones se dan en condiciones de funcionamiento específicas (Tc=25°C) y el rendimiento del módulo puede variar bajo diferentes condiciones. Es esencial seguir las pautas y hojas de datos del fabricante al utilizar dichos componentes en sus diseños.