#SP-11-01 fis SP-11-01 Nuovo BSP110 - TrenchMOS a canale N di livello intermedio FET SC-73 4-Pin, immagini SP-11-01, prezzo SP-11-01, fornitore #SP-11-01
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Codice produttore: BSP110,115
Marchio: NXP Semiconduttore
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: trasferito
Ihs Produttore: NXP SEMICONDUCTORS
Codice pacchetto parte: SC-73
Descrizione della confezione: SOT-223, 4 PIN
Numero pin: 4
Codice confezione produttore: SOT223
Codice ECCN: EAR99
Codice HTS: 8541.29.00.75
Produttore: NXP Semiconductors
Grado di rischio: 6.96
Connessione cassa: DRAIN
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 80 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 0.325 A
Scarico corrente-max (ID): 0.325 A
Drain-source On Resistenza-Max: 7 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Feedback Cap-Max (Crss): 6 pF
Codice JESD-30: R-PDSO-G4
Codice JESD-609: e3
Livello di sensibilità all'umidità: 1
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 4
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): 260
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 1.5 W.
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: Stagno (Sn)
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: DUAL
Ora
BSP110 – TrenchMOS a canale N di livello intermedio FET SC-73 4-Pin
Marchio: NXP Semiconduttore
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: trasferito
Ihs Produttore: NXP SEMICONDUCTORS
Codice pacchetto parte: SC-73
Descrizione della confezione: SOT-223, 4 PIN
Numero pin: 4
Codice confezione produttore: SOT223
Codice ECCN: EAR99
Codice HTS: 8541.29.00.75
Produttore: NXP Semiconductors
Grado di rischio: 6.96
Connessione cassa: DRAIN
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 80 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 0.325 A
Scarico corrente-max (ID): 0.325 A
Drain-source On Resistenza-Max: 7 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Feedback Cap-Max (Crss): 6 pF
Codice JESD-30: R-PDSO-G4
Codice JESD-609: e3
Livello di sensibilità all'umidità: 1
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 4
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): 260
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 1.5 W.
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: Stagno (Sn)
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: DUAL
Ora
BSP110 – TrenchMOS a canale N di livello intermedio FET SC-73 4-Pin