#SP-11-01 fis SP-11-01 Nouveau BSP110 - TrenchMOS niveau intermédiaire FET SC-73 4 broches à canal N, images SP-11-01, prix SP-11-01, fournisseur #SP-11-01
-----------------------
Courriel: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Courriel: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/sp-11-01.html
-----------------------
Numéro de pièce du fabricant : BSP110,115
Nom de la marque: NXP Semi-conducteurs
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: transféré
Ihs Fabricant : NXP SEMICONDUCTORS
Code de paquet de pièce : SC-73
Description de l'emballage : SOT-223, 4 broches
Nombre de broches: 4
Code d'emballage du fabricant : SOT223
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8541.29.00.75
Fabricant : NXP Semiconductors
Classement de risque: 6.96
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 80 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 0.325 A
Courant de drain-Max (ID): 0.325 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 7 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Cap-Max de rétroaction (Crss): 6 pF
Code JESD-30: R-PDSO-G4
Code JESD-609: e3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 4
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 1.5 W
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: OUI
Finition du terminal : étain (Sn)
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Temps
BSP110 – TrenchMOS niveau intermédiaire à canal N FET SC-73 4 broches
Nom de la marque: NXP Semi-conducteurs
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: transféré
Ihs Fabricant : NXP SEMICONDUCTORS
Code de paquet de pièce : SC-73
Description de l'emballage : SOT-223, 4 broches
Nombre de broches: 4
Code d'emballage du fabricant : SOT223
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8541.29.00.75
Fabricant : NXP Semiconductors
Classement de risque: 6.96
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 80 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 0.325 A
Courant de drain-Max (ID): 0.325 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 7 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Cap-Max de rétroaction (Crss): 6 pF
Code JESD-30: R-PDSO-G4
Code JESD-609: e3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 4
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 1.5 W
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: OUI
Finition du terminal : étain (Sn)
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Temps
BSP110 – TrenchMOS niveau intermédiaire à canal N FET SC-73 4 broches