#SP-11-01 fis SP-11-01 New BSP110 - N-канальный полевой транзистор TrenchMOS 73-контактный промежуточного уровня SC-4, фотографии SP-11-01, цена SP-11-01, # SP-11-01 поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/sp-11-01.html
-----------------------
Номер детали производителя: BSP110,115
Бренд: NXP Полупроводниковое
Код RoHS: Да
Код жизненного цикла детали: перенесен
Ihs Производитель: NXP SEMICONDUCTORS
Код упаковки детали: SC-73
Описание упаковки: SOT-223, 4 PIN
Количество контактов: 4
Код упаковки производителя: SOT223
Код ECCN: EAR99
Код HTS: 8541.29.00.75
Производитель: NXP Semiconductors
Рейтинг риска: 6.96
Подключение корпуса: СЛИВ
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 80 В
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 0.325 A
Максимальный ток стока (ID): 0.325 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 7 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Максимальный конденсатор обратной связи (Crss): 6 пФ
Код JESD-30: R-PDSO-G4.
Код JESD-609: e3.
Уровень чувствительности к влаге: 1
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 4
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 1.5 Вт
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: ДА
Терминальная отделка: олово (Sn)
Форма клеммы: GULL WING
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
BSP110 - N-канальный полевой транзистор промежуточного уровня TrenchMOS SC-73, 4-контактный
Бренд: NXP Полупроводниковое
Код RoHS: Да
Код жизненного цикла детали: перенесен
Ihs Производитель: NXP SEMICONDUCTORS
Код упаковки детали: SC-73
Описание упаковки: SOT-223, 4 PIN
Количество контактов: 4
Код упаковки производителя: SOT223
Код ECCN: EAR99
Код HTS: 8541.29.00.75
Производитель: NXP Semiconductors
Рейтинг риска: 6.96
Подключение корпуса: СЛИВ
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 80 В
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 0.325 A
Максимальный ток стока (ID): 0.325 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 7 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Максимальный конденсатор обратной связи (Crss): 6 пФ
Код JESD-30: R-PDSO-G4.
Код JESD-609: e3.
Уровень чувствительности к влаге: 1
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 4
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 1.5 Вт
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: ДА
Терминальная отделка: олово (Sn)
Форма клеммы: GULL WING
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
BSP110 - N-канальный полевой транзистор промежуточного уровня TrenchMOS SC-73, 4-контактный