#SP-11-01 fis SP-11-01 Novo BSP110 - N-channel TrenchMOS nível intermediário FET SC-73 4 pinos, fotos SP-11-01, preço SP-11-01, fornecedor # SP-11-01
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Email: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/sp-11-01.html
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Número da peça do fabricante: BSP110,115
Nome da marca: NXP Semicondutores
Código Rohs: Sim
Código do ciclo de vida da peça: transferido
Fabricante Ihs: NXP SEMICONDUTORES
Código do pacote da peça: SC-73
Descrição do pacote: SOT-223, 4 PIN
Contagem de pinos: 4
Código do pacote do fabricante: SOT223
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.29.00.75
Fabricante: NXP Semiconductors
Classificação de risco: 6.96
Conexão do caso: DRAIN
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 80 V
Corrente de drenagem - Máx. (Abs) (ID): 0.325 A
Corrente de drenagem-Máx (ID): 0.325 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 7 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO Semicondutores
Feedback Cap-Max (Crss): 6 pF
Código JESD-30: R-PDSO-G4
Código JESD-609: e3
Nível de sensibilidade à umidade: 1
Número de elementos: 1
Número de terminais: 4
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): 260
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Dissipação de potência - Máx. (Abs): 1.5 W
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Poder de uso geral do FET
Montagem em superfície: SIM
Acabamento do Terminal: Estanho (Sn)
Formulário Terminal: GULL WING
Posição Terminal: DUAL
Horário
BSP110 - canal N TrenchMOS nível intermediário FET SC-73 4 pinos
Nome da marca: NXP Semicondutores
Código Rohs: Sim
Código do ciclo de vida da peça: transferido
Fabricante Ihs: NXP SEMICONDUTORES
Código do pacote da peça: SC-73
Descrição do pacote: SOT-223, 4 PIN
Contagem de pinos: 4
Código do pacote do fabricante: SOT223
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.29.00.75
Fabricante: NXP Semiconductors
Classificação de risco: 6.96
Conexão do caso: DRAIN
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 80 V
Corrente de drenagem - Máx. (Abs) (ID): 0.325 A
Corrente de drenagem-Máx (ID): 0.325 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 7 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO Semicondutores
Feedback Cap-Max (Crss): 6 pF
Código JESD-30: R-PDSO-G4
Código JESD-609: e3
Nível de sensibilidade à umidade: 1
Número de elementos: 1
Número de terminais: 4
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): 260
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Dissipação de potência - Máx. (Abs): 1.5 W
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Poder de uso geral do FET
Montagem em superfície: SIM
Acabamento do Terminal: Estanho (Sn)
Formulário Terminal: GULL WING
Posição Terminal: DUAL
Horário
BSP110 - canal N TrenchMOS nível intermediário FET SC-73 4 pinos