#SP-11-01 fis SP-11-01 New BSP110 - N-channel TrenchMOS cấp trung gian FET SC-73 4-Pin, SP-11-01 hình ảnh, SP-11-01 giá, # SP-11-01 nhà cung cấp
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/sp-11-01.html
-----------------------
Nhà sản xuất một phần số: BSP110,115
Thương hiệu: NXP Semiconductor
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Đã chuyển
Nhà sản xuất Ihs: NXP SEMICONDUCTORS
Mã phần gói: SC-73
Mô tả gói hàng: SOT-223, 4 PIN
Số lượng pin: 4
Mã gói nhà sản xuất: SOT223
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.29.00.75
Nhà sản xuất: NXP Semiconductors
Xếp hạng rủi ro: 6.96
Kết nối trường hợp: DRAIN
Cấu hình: DUY NHẤT VỚI DIODE TÍCH HỢP
Phân tích DS Vôn-Tin: 80 V
Xả Hiện tại-Tối đa (Áp suất) (ID): 0.325 A
Xả Hiện tại-Tối đa (ID): 0.325 A
Nguồn xả khi Điện trở-Tối đa: 7 Ω
FET Công nghệ: METAL-OXIDE Semiconductor
Phản hồi Cap-Max (Crss): 6 pF
Mã JESD-30: R-PDSO-G4
Mã JESD-609: e3
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: 1
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 4
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 1.5 W
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Danh mục con: FET General Purpose Power
Gắn kết bề mặt: CÓ
Kết thúc đầu cuối: Tin (Sn)
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
BSP110 - N-channel TrenchMOS cấp trung gian FET SC-73 4 chân
Thương hiệu: NXP Semiconductor
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Đã chuyển
Nhà sản xuất Ihs: NXP SEMICONDUCTORS
Mã phần gói: SC-73
Mô tả gói hàng: SOT-223, 4 PIN
Số lượng pin: 4
Mã gói nhà sản xuất: SOT223
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.29.00.75
Nhà sản xuất: NXP Semiconductors
Xếp hạng rủi ro: 6.96
Kết nối trường hợp: DRAIN
Cấu hình: DUY NHẤT VỚI DIODE TÍCH HỢP
Phân tích DS Vôn-Tin: 80 V
Xả Hiện tại-Tối đa (Áp suất) (ID): 0.325 A
Xả Hiện tại-Tối đa (ID): 0.325 A
Nguồn xả khi Điện trở-Tối đa: 7 Ω
FET Công nghệ: METAL-OXIDE Semiconductor
Phản hồi Cap-Max (Crss): 6 pF
Mã JESD-30: R-PDSO-G4
Mã JESD-609: e3
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: 1
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 4
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 1.5 W
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Danh mục con: FET General Purpose Power
Gắn kết bề mặt: CÓ
Kết thúc đầu cuối: Tin (Sn)
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
BSP110 - N-channel TrenchMOS cấp trung gian FET SC-73 4 chân