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Il 7MBR25SA120-50 è un IGBT (Insulated Gate Bipolare Transistor) modulo prodotto da Fuji Electric. È progettato per applicazioni ad alta potenza che richiedono una commutazione efficiente ed elevata voltaggio capacità. Ecco alcune caratteristiche e specifiche principali del 7MBR25SA120-50:
Potenza nominale: il 7MBR25SA120-50 è valutato per una corrente massima del collettore (IC) di 25A, rendendolo adatto per applicazioni di media e alta potenza.
voltaggio Classificazione: ha una tensione massima di collettore-emettitore (VCE) di 1200 V, che gli consente di gestire livelli di alta tensione.
IGBT Tecnologia: Il modulo utilizza funzionalità avanzate IGBT tecnologia, che combina i vantaggi di entrambi mosfet e giunzione bipolare Transistor (BJT) per ottenere elevate velocità di commutazione e basse perdite di conduzione.
Bassa tensione di saturazione: il 7MBR25SA120-50 presenta una bassa tensione di saturazione, con conseguente riduzione delle perdite di potenza durante la conduzione.
Frequenza di commutazione elevata: è progettato per funzionare a frequenze di commutazione elevate, consentendo una commutazione efficiente e rapida degli IGBT.
Tipo di confezione: il 7MBR25SA120-50 è confezionato in un formato di modulo, che include i chip IGBT, i circuiti di pilotaggio del gate e altri componenti necessari. Questo pacchetto offre facilità di installazione e gestione termica.
Applicazioni: questo modulo IGBT è comunemente utilizzato in varie applicazioni industriali come azionamenti di motori, convertitori di potenza, gruppi di continuità (UPS), sistemi di energia rinnovabile e altri sistemi elettronici ad alta potenza.
Il 7MBR25SA120-50 offre una combinazione di elevata capacità di gestione della potenza, prestazioni di commutazione efficienti e funzioni di protezione affidabili. È adatto per applicazioni che richiedono commutazione ad alta tensione e alta corrente con un'efficienza energetica ottimale.