Infineon FF200R12KS4 재고

제품 카테고리 :    IGBT 모듈 FF200R12KS4
제조업체 : Infineon
RoHS : 예
생성물:    IGBT 실리콘 모듈
구성 : 이중
수집기-이미 터 전압 VCEO Max : 1200V
수집기 방출기 채도 전압: 3.2V
25C에서 연속 콜렉터 전류 : 275A
게이트 방출기 누설 전류 : 400nA
Pd – 전력 손실 : 1.4kW
패키지 / 케이스 : 62mm
최대 작동 온도 : + 125 C
브랜드 : Infineon Technologies
높이 : 30.5mm
길이 : 106.4mm
최대 게이트 이미 터 전압: +/- 20V
최소 작동 온도 : – 40 C
장착 스타일 : 나사
팩토리 팩 수량 : 1
FF200R12KS4
IGBT 모듈 1200V 200A DUAL