#FF200R12KS4 Infineon FF200R12KS4 Nuovo IGBT Moduli 1200V 200A DUAL, immagini FF200R12KS4, prezzo FF200R12KS4, fornitore # FF200R12KS4
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Email: sales@shunlongwei.com
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Categoria Del Prodotto: IGBT Moduli FF200R12KS4
Produttore: Infineon
RoHS: SI
Prodotti: IGBT Moduli in silicone
Configurazione: doppia
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1200 V.
Saturazione collettore-emettitore voltaggio: 3.2 V
Corrente di collettore continua a 25 C: 275 A
Corrente di dispersione gate-emettitore: 400 nA
Pd - Dissipazione di potenza: 1.4 kW
Confezione / Cassa: 62 mm
Temperatura massima di esercizio: + 125 ° C
Marchio: Infineon Technologies
Altezza: 30.5 mm
Lunghezza: 106.4 mm
Emettitore Gate massimo voltaggio: +/- 20 V
Temperatura minima di esercizio: - 40 ° C
Stile di montaggio: vite
Quantità confezione da fabbrica: 1
FF200R12KS4
Moduli IGBT 1200V 200A DUAL
Produttore: Infineon
RoHS: SI
Prodotti: IGBT Moduli in silicone
Configurazione: doppia
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1200 V.
Saturazione collettore-emettitore voltaggio: 3.2 V
Corrente di collettore continua a 25 C: 275 A
Corrente di dispersione gate-emettitore: 400 nA
Pd - Dissipazione di potenza: 1.4 kW
Confezione / Cassa: 62 mm
Temperatura massima di esercizio: + 125 ° C
Marchio: Infineon Technologies
Altezza: 30.5 mm
Lunghezza: 106.4 mm
Emettitore Gate massimo voltaggio: +/- 20 V
Temperatura minima di esercizio: - 40 ° C
Stile di montaggio: vite
Quantità confezione da fabbrica: 1
FF200R12KS4
Moduli IGBT 1200V 200A DUAL
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