Infineon FF200R12KS4 มีในสต็อก

ประเภทสินค้า:    IGBT โมดูล FF200R12KS4
ผู้ผลิต: Infineon
RoHS: ใช่
สินค้า:    IGBT โมดูลซิลิคอน
การกำหนดค่า: คู่
นักสะสม - ตัวปล่อย แรงดันไฟฟ้า VCEO สูงสุด: 1200 V
ความอิ่มตัวของคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ แรงดันไฟฟ้า: 3.2 V
กระแสสะสมต่อเนื่องที่ 25 C: 275 A
Gate-Emitter กระแสไฟรั่ว: 400 nA
Pd - กำลังงานสูญเสีย: 1.4 กิโลวัตต์
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: 62 มม
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: + 125 C
แบรนด์: Infineon Technologies
ความสูง: 30.5 มม
ความยาว: 106.4 มม
ตัวปล่อยประตูสูงสุด แรงดันไฟฟ้า: +/- 20 V
อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ: - 40 C
รูปแบบการติด: สกรู
จำนวนแพ็คโรงงาน: 1
FF200R12KS4
โมดูล IGBT 1200V 200A DUAL