#FF200R12KS4 Infineon FF200R12KS4 Novo IGBT Módulos 1200V 200A DUAL, imagens FF200R12KS4, preço FF200R12KS4, fornecedor # FF200R12KS4
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Email: sales@shunlongwei.com
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Categoria de Produto: IGBT Módulos FF200R12KS4
Fabricante: Infineon
RoHS: SIM
Produto: IGBT Módulos de Silício
Configuração: Dual
Coletor- Emissor Voltagem VCEO Máx .: 1200 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 3.2 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 275 A
Corrente de vazamento do emissor-porta: 400 nA
Pd - Dissipação de energia: 1.4 kW
Pacote / Caixa: 62 mm
Temperatura máxima de operação: + 125 C
Marca: Infineon Technologies
Altura: 30.5 mm
Comprimento: 106.4 mm
Emissor máximo de porta Voltagem: +/- 20 V
Temperatura Mínima de Operação: - 40 C
Estilo de montagem: parafuso
Quantidade do pacote de fábrica: 1
FF200R12KS4
Módulos IGBT 1200V 200A DUAL
Fabricante: Infineon
RoHS: SIM
Produto: IGBT Módulos de Silício
Configuração: Dual
Coletor- Emissor Voltagem VCEO Máx .: 1200 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 3.2 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 275 A
Corrente de vazamento do emissor-porta: 400 nA
Pd - Dissipação de energia: 1.4 kW
Pacote / Caixa: 62 mm
Temperatura máxima de operação: + 125 C
Marca: Infineon Technologies
Altura: 30.5 mm
Comprimento: 106.4 mm
Emissor máximo de porta Voltagem: +/- 20 V
Temperatura Mínima de Operação: - 40 C
Estilo de montagem: parafuso
Quantidade do pacote de fábrica: 1
FF200R12KS4
Módulos IGBT 1200V 200A DUAL
Shunlongwei inspecionado todos os FF200R12KS4 antes do envio, todos os FF200R12KS4 com garantia de 6 meses.