#FF200R12KS4 Infineon FF200R12KS4 Nieuw IGBT Modules 1200V 200A DUAL, FF200R12KS4 foto's, FF200R12KS4 prijs, # FF200R12KS4 leverancier
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Product categorie: IGBT Modules FF200R12KS4
Fabrikant: Infineon
RoHS: JA
Artikel: IGBT Silicium modules
Configuratie: Dual
Collector-zender spanning VCEO Max: 1200 V
Verzamelaar-emitterverzadiging spanning: 3.2 V
Continue collectorstroom bij 25 C: 275 A.
Gate-Emitter Lekstroom: 400 nA
Pd - Vermogensverlies: 1.4 kW
Verpakking / doos: 62 mm
Maximale bedrijfstemperatuur: + 125 ° C
Merk: Infineon Technologies
Hoogte: 30.5 mm
Lengte: 106.4 mm
Maximale Gate Emitter spanning: +/- 20 V
Minimale bedrijfstemperatuur: - 40 ° C
Montagestijl: schroef
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 1
FF200R12KS4
IGBT-modules 1200V 200A DUAL
Fabrikant: Infineon
RoHS: JA
Artikel: IGBT Silicium modules
Configuratie: Dual
Collector-zender spanning VCEO Max: 1200 V
Verzamelaar-emitterverzadiging spanning: 3.2 V
Continue collectorstroom bij 25 C: 275 A.
Gate-Emitter Lekstroom: 400 nA
Pd - Vermogensverlies: 1.4 kW
Verpakking / doos: 62 mm
Maximale bedrijfstemperatuur: + 125 ° C
Merk: Infineon Technologies
Hoogte: 30.5 mm
Lengte: 106.4 mm
Maximale Gate Emitter spanning: +/- 20 V
Minimale bedrijfstemperatuur: - 40 ° C
Montagestijl: schroef
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 1
FF200R12KS4
IGBT-modules 1200V 200A DUAL
Shunlongwei inspecteerde elke FF200R12KS4 vóór verzending, alle FF200R12KS4 met 6 maanden garantie.