Infineon FF200R12KS4 Còn hàng

Danh Mục Sản Phẩm:    IGBT Mô-đun FF200R12KS4
Nhà sản xuất: Infineon
RoHS: CÓ
Sản phẩm:    IGBT Mô-đun silicon
Cấu hình: Kép
Bộ sưu tập- Bộ phát Vôn VCEO Tối đa: 1200 V
Độ bão hòa bộ thu-phát Vôn: 3.2 V
Bộ thu liên tục hiện tại ở 25 C: 275 A
Gate-Emitter Rò rỉ hiện tại: 400 nA
Pd - Công suất tiêu thụ: 1.4 kW
Gói / Vỏ: 62 mm
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 125 C
Thương hiệu: Infineon Technologies
Chiều cao: 30.5 mm
Chiều dài: 106.4 mm
Bộ phát cổng tối đa Vôn: +/- 20 V
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C
Kiểu lắp: Vít
Gói nhà máy Số lượng: 1
FF200R12KS4
Mô-đun IGBT 1200V 200A KÉP