Sales Email: sales@shunlongwei.com
7MBR25SA120-50 est IGBT (Bipolar insulae portae Gallium) Module factorum Fuji Electric. Virtutis applicationes summus ordinatur quae efficientes commutationes et altas requirunt voltage facultatem. Hic sunt notae quaedam clavis et specificationes " 7MBR25SA120-50;
Potentia Rating: 7MBR25SA120-50 aestimatur pro maximo collectore currenti (IC) de 25A, aptando media ad applicationes altae potentiae.
voltage Rating: Maximum collectori-emittentem voltage (VCE) aestimationem 1200V habet, eam permittens gradus altas intentionis tractare.
IGBT Technology: Modulus proficit IGBT ars, quae utriusque commoda componit mosfet et bipolar coniunctas Gallium (BJT) Ad celeritates commutationes altas et humilis damna conductionis consequendam.
Humilis Saturatio Voltage: De 7MBR25SA120-50 ostendit humilis satietatem intentionis, inde in detrimenta potestatis redactae in conductione.
Altus Switching Frequency: ordinatur ad altas commutationes frequentiorum operari, efficiens ac celeri commutatione IGBTs efficiens.
Sarcina Type: The 7MBR25SA120-50 in forma moduli fasciculata est, quae IGBT chippis includit, portae gyros et alia necessaria elementa. Haec sarcina otium institutionis et administrationis scelerisque praebet.
Applicationes: Hic IGBT modulus in variis applicationibus industrialibus usus est ut motores activitatis, convertentium potentiae, potentiae inexterminabilis (UPS), systemata energiae renovabilis, aliaque systemata electronica potestas.
7MBR25SA120-50 compositum praebet facultatem tractandi potentiae altae, commutationes efficiens effectus, et lineamenta certa tutelae. Apta applicationibus est quae alta intentione et alta vena mutandi cum meliorem potentiam efficientiam requirunt.