Jualan Email: sales@shunlongwei.com
7MBR25SA120-50 ialah sebuah IGBT (Bipolar Gerbang Bertebat Transistor) modul dikeluarkan oleh Fuji Electric. Ia direka untuk aplikasi berkuasa tinggi yang memerlukan pensuisan yang cekap dan tinggi voltan keupayaan. Berikut adalah beberapa ciri dan spesifikasi utama 7MBR25SA120-50:
Penarafan Kuasa: 7MBR25SA120-50 dinilai untuk arus pengumpul maksimum (IC) sebanyak 25A, menjadikannya sesuai untuk aplikasi berkuasa sederhana hingga tinggi.
voltan Penarafan: Ia mempunyai penarafan voltan pengumpul-pemancar maksimum (VCE) sebanyak 1200V, membolehkannya mengendalikan tahap voltan tinggi.
IGBT Teknologi: Modul ini menggunakan lanjutan IGBT teknologi, yang menggabungkan kelebihan kedua-duanya mosfet dan persimpangan bipolar Transistor (BJT) untuk mencapai kelajuan pensuisan yang tinggi dan kehilangan pengaliran yang rendah.
Voltan Tepu Rendah: 7MBR25SA120-50 mempamerkan voltan tepu yang rendah, mengakibatkan kehilangan kuasa yang berkurangan semasa pengaliran.
Frekuensi Pensuisan Tinggi: Ia direka bentuk untuk beroperasi pada frekuensi pensuisan yang tinggi, membolehkan pensuisan IGBT yang cekap dan pantas.
Jenis Pakej: 7MBR25SA120-50 dibungkus dalam format modul, yang merangkumi cip IGBT, litar pemacu get dan komponen lain yang diperlukan. Pakej ini menyediakan kemudahan pemasangan dan pengurusan haba.
Aplikasi: Modul IGBT ini biasanya digunakan dalam pelbagai aplikasi perindustrian seperti pemacu motor, penukar kuasa, bekalan kuasa tidak terganggu (UPS), sistem tenaga boleh diperbaharui dan sistem elektronik berkuasa tinggi yang lain.
7MBR25SA120-50 menawarkan gabungan keupayaan pengendalian kuasa tinggi, prestasi pensuisan yang cekap dan ciri perlindungan yang boleh dipercayai. Ia amat sesuai untuk aplikasi yang memerlukan pensuisan voltan tinggi dan arus tinggi dengan kecekapan kuasa yang optimum.