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O 7MBR25SA120-50 é um IGBT (portão isolado bipolar Transistor) módulo fabricado pela Fuji Electric. Ele foi projetado para aplicações de alta potência que exigem comutação eficiente e alta Voltagem capacidade. Aqui estão algumas das principais características e especificações do 7MBR25SA120-50:
Classificação de energia: O 7MBR25SA120-50 é classificado para uma corrente de coletor máxima (IC) de 25A, tornando-o adequado para aplicações de média a alta potência.
Voltagem Classificação: Possui uma classificação máxima de tensão coletor-emissor (VCE) de 1200 V, permitindo lidar com altos níveis de tensão.
IGBT Equipar: O módulo utiliza recursos avançados IGBT tecnologia, que combina as vantagens de ambos mosfet e junção bipolar Transistor (BJT) para alcançar altas velocidades de comutação e baixas perdas de condução.
Baixa tensão de saturação: O 7MBR25SA120-50 exibe baixa tensão de saturação, resultando em perdas de energia reduzidas durante a condução.
Alta Frequência de Chaveamento: Foi projetado para operar em altas frequências de chaveamento, possibilitando um chaveamento eficiente e rápido dos IGBTs.
Tipo de pacote: O 7MBR25SA120-50 é embalado em um formato de módulo, que inclui os chips IGBT, circuitos de acionamento de porta e outros componentes necessários. Este pacote oferece facilidade de instalação e gerenciamento térmico.
Aplicações: Este módulo IGBT é comumente usado em várias aplicações industriais, como acionamentos de motores, conversores de energia, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), sistemas de energia renovável e outros sistemas eletrônicos de alta potência.
O 7MBR25SA120-50 oferece uma combinação de capacidade de manuseio de alta potência, desempenho de comutação eficiente e recursos de proteção confiáveis. É adequado para aplicações que requerem comutação de alta tensão e alta corrente com eficiência de energia ideal.