Bán hàng Email: sales@shunlongwei.com
7MBR25SA120-50 là một IGBT (Cổng lưỡng cực cách điện Transistor) mô-đun do Fuji Electric sản xuất. Nó được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao yêu cầu chuyển mạch hiệu quả và tốc độ cao. Vôn khả năng. Dưới đây là một số tính năng chính và thông số kỹ thuật của 7MBR25SA120-50:
Xếp hạng công suất: 7MBR25SA120-50 được xếp hạng cho dòng thu tối đa (IC) là 25A, phù hợp với các ứng dụng công suất trung bình đến cao.
Vôn Xếp hạng: Nó có định mức điện áp thu-phát (VCE) tối đa là 1200V, cho phép nó xử lý các mức điện áp cao.
IGBT Công nghệ: Mô-đun sử dụng nâng cao IGBT công nghệ kết hợp ưu điểm của cả hai mosfet và ngã ba lưỡng cực Transistor (BJT) để đạt được tốc độ chuyển mạch cao và tổn thất dẫn truyền thấp.
Điện áp bão hòa thấp: 7MBR25SA120-50 có điện áp bão hòa thấp, dẫn đến giảm tổn thất điện năng trong quá trình dẫn.
Tần số chuyển mạch cao: Nó được thiết kế để hoạt động ở tần số chuyển mạch cao, cho phép chuyển mạch IGBT hiệu quả và nhanh chóng.
Loại đóng gói: 7MBR25SA120-50 được đóng gói ở định dạng mô-đun, bao gồm các chip IGBT, mạch ổ đĩa cổng và các thành phần cần thiết khác. Gói này giúp dễ dàng cài đặt và quản lý nhiệt.
Ứng dụng: Mô-đun IGBT này thường được sử dụng trong các ứng dụng công nghiệp khác nhau như ổ đĩa động cơ, bộ chuyển đổi năng lượng, nguồn cung cấp điện liên tục (UPS), hệ thống năng lượng tái tạo và các hệ thống điện tử công suất cao khác.
7MBR25SA120-50 mang đến sự kết hợp giữa khả năng xử lý công suất cao, hiệu suất chuyển mạch hiệu quả và các tính năng bảo vệ đáng tin cậy. Nó rất phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu chuyển đổi điện áp cao và dòng điện cao với hiệu suất năng lượng tối ưu.