Mikroçip Teknoloji Avrupa Komisyonu (EC) ve endüstri konsorsiyumu ortak kuruluşu Clean Sky ile birlikte, daha yüksek verimli, daha hafif ve daha kompakt güç dönüşümü ve motor tahrik sistemlerini kolaylaştıran ilk havacılık-uzay nitelikli temelsiz güç modüllerini geliştirdiklerini duyurdu.
2050 yılına kadar iklim nötr havacılık sağlayacak daha sıkı emisyon standartları için EC tarafından belirlenen havacılık endüstrisi hedeflerini desteklemek üzere şirketle ortaklık kuran Microchip'in BL1, BL2 ve BL3 temelsiz güç modülü ailesi, AC/DC ve DC/AC gücünde daha fazla verimlilik sunuyor silisyum karbür gücünün entegrasyonu yoluyla dönüşüm ve üretim Yarıiletken teknoloji. Değiştirilmiş alt tabaka nedeniyle diğerlerinden yüzde kırk daha hafif olan bu yenilikçi tasarım, aynı zamanda metal taban plakaları içeren standart güç modüllerine göre yaklaşık %10 maliyet tasarrufu sağlar. Bu BL1, BL2 ve BL3 cihazları, RTCA DO-160G, 'Havadaki Ekipman için Çevre Koşulları ve Test Prosedürleri', Versiyon G'de (Ağustos 2010) belirlenen tüm mekanik ve çevresel uyumluluk yönergelerini karşılamaktadır.
Modüller, tasarımcıların doğrudan PCB'lere lehimleyebileceği güç ve sinyal konektörlerine sahip, düşük profilli, düşük endüktanslı ambalajlarda sunulmaktadır; bu da geliştirmeyi hızlandırmaya ve güvenilirliği artırmaya hizmet eder. Ailedeki modüller arasındaki aynı yükseklik, bunların paralel bağlanmasına veya tek bir şekilde bağlanmasına olanak tanır. Üç faz Daha yüksek performanslı güç dönüştürücüleri ve invertörleri sağlamak için köprü ve diğer topolojiler.
Microchip'in ayrık ürünler iş birimi başkan yardımcısı Leon Gross, "Microchip'in güçlü yeni modülleri, uçak elektrifikasyonunda yenilikçiliği teşvik etmeye ve sonuçta daha düşük emisyonlu bir geleceğe doğru ilerlemeye yardımcı olacak" dedi. “Bu, yeni bir uçuş çağını başlatan sistemler için olanak sağlayan bir teknolojidir.”
Ailede silisyum karbür bulunur mosfetler ve sistem verimliliğini en üst düzeye çıkarmak için Schottky Bariyer Diyotları. 100W'tan 10kW'a kadar güç sağlayan paketlerde aile, faz bacağı, tam köprü, asimetrik köprü, boost, buck ve ikili ortak kaynak olmak üzere çeşitli topoloji seçenekleriyle sunuluyor. Bu yüksek güvenilirliğe sahip güç modülleri şu şekilde mevcuttur: Voltaj Silisyum karbür MOSFET'lerde 600V ila 1200V arasında değişir ve IGBTDoğrultucu diyotlar için 1600V'a kadar.