#AP9985GM APEC AP9985GM Neu Transistor 10 A, 40 V, 0.015 Ohm, N-KANAL, Si, POWER, MOSFET, ROHS-KONFORM, SOP-8, FET-Allzweckstrom, AP9985GM-Bilder, AP9985GM-Preis, #AP9985GM-Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/ap9985gm.html
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Hersteller-Teilenummer: AP9985GM
Teilelebenszykluscode: Wenden Sie sich an den Hersteller
Ihs Hersteller: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Teilepaketcode: SOT
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Pin-Anzahl: 8
ECCN-Code: EAR99
HTS-Code: 8541.29.00.95
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp
Risikorang: 5.71
Zusätzliche Funktion: ULTRA NIEDRIGER WIDERSTAND
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 40 V.
Drainstrom-Max (ID): 10 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.015 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JESD-30-Code: R-PDSO-G8
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 8
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 48 A
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Oberflächenmontage: JA
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: DUAL
Transistor Anwendung: SCHALTEN
Transistor Element Material: SILIKON
Transistor 10 A, 40 V, 0.015 Ohm, N-KANAL, Si, POWER, MOSFET, ROHS-KONFORM, SOP-8, FET Allzweckleistung
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Ihs Hersteller: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Teilepaketcode: SOT
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Pin-Anzahl: 8
ECCN-Code: EAR99
HTS-Code: 8541.29.00.95
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp
Risikorang: 5.71
Zusätzliche Funktion: ULTRA NIEDRIGER WIDERSTAND
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 40 V.
Drainstrom-Max (ID): 10 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.015 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JESD-30-Code: R-PDSO-G8
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 8
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 48 A
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Oberflächenmontage: JA
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: DUAL
Transistor Anwendung: SCHALTEN
Transistor Element Material: SILIKON
Transistor 10 A, 40 V, 0.015 Ohm, N-KANAL, Si, POWER, MOSFET, ROHS-KONFORM, SOP-8, FET Allzweckleistung