#AP9985GM APEC AP9985GM Nouveau Transistor 10 A, 40 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, CONFORMITÉ ROHS, SOP-8, Alimentation à usage général FET, images AP9985GM, prix AP9985GM, fournisseur #AP9985GM
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Email: sales@shunlongwei.com
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Numéro de pièce du fabricant : AP9985GM
Code du cycle de vie de la pièce: Contacter le fabricant
Ihs Fabricant : ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Code de l'emballage de la pièce : SOT
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G8
Nombre de broches: 8
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8541.29.00.95
Fabricant : Advanced Power Electronics Corp
Classement de risque: 5.71
Caractéristique supplémentaire : ULTRA FAIBLE RÉSISTANCE
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 40 V
Courant de drain-Max (ID): 10 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.015 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JESD-30: R-PDSO-G8
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 8
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 48 A
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: OUI
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Transistor Application : COMMUTATION
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Transistor 10 A, 40 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, CONFORME ROHS, SOP-8, FET Alimentation à usage général
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Ihs Fabricant : ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Code de l'emballage de la pièce : SOT
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G8
Nombre de broches: 8
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8541.29.00.95
Fabricant : Advanced Power Electronics Corp
Classement de risque: 5.71
Caractéristique supplémentaire : ULTRA FAIBLE RÉSISTANCE
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 40 V
Courant de drain-Max (ID): 10 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.015 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JESD-30: R-PDSO-G8
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 8
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 48 A
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: OUI
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Transistor Application : COMMUTATION
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Transistor 10 A, 40 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, CONFORME ROHS, SOP-8, FET Alimentation à usage général