APEC AP9985GM Disponible

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Número de parte del fabricante: AP9985GM
Código de ciclo de vida de la pieza: Póngase en contacto con el fabricante
Fabricante de Ihs: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Código del paquete de piezas: SOT
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G8
Recuento de pines: 8
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.29.00.95
Fabricante: Advanced Power Electronics Corp
Rango de riesgo: 5.71
Característica adicional: RESISTENCIA ULTRA BAJA
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 40 V
Corriente de drenaje máxima (ID): 10 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.015 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JESD-30: R-PDSO-G8
Número de elementos: 1
Número de terminales: 8
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 48 A
Estado de calificación: no calificado
Montaje en superficie: SÍ
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Transistor Aplicación: CONMUTACIÓN
Transistor Material del elemento: SILICIO
Transistor 10 A, 40 V, 0.015 ohmios, N-CANAL, Si, ALIMENTACIÓN, mosfet, CUMPLE CON ROHS, SOP-8, FET Energía de uso general