#AP9985GM APEC AP9985GM Nuovo Transistor 10 A, 40 V, 0.015 ohm, CANALE N, Si, POTENZA, mosfet, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Power, immagini AP9985GM, prezzo AP9985GM, fornitore #AP9985GM
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Email: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/ap9985gm.html
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Codice produttore: AP9985GM
Codice del ciclo di vita della parte: contattare il produttore
Ihs Produttore: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Codice pacchetto parte: SOT
Descrizione del pacchetto: PICCOLO CONTORNO, R-PDSO-G8
Numero pin: 8
Codice ECCN: EAR99
Codice HTS: 8541.29.00.95
Produttore: Advanced Power Electronics Corp
Grado di rischio: 5.71
Caratteristica aggiuntiva: RESISTENZA ULTRA BASSA
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 40 V
Scarico corrente-max (ID): 10 A
Drain-source On Resistenza-Max: 0.015 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Codice JESD-30: R-PDSO-G8
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 8
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 48 A
Stato della qualifica: non qualificato
Montaggio superficiale: SI
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: DUAL
Transistor Applicazione: COMMUTAZIONE
Transistor Materiale dell'elemento: SILICONE
Transistor 10 A, 40 V, 0.015 ohm, CANALE N, Si, POTENZA, mosfet, CONFORME ROHS, SOP-8, FET alimentazione per uso generale
Codice del ciclo di vita della parte: contattare il produttore
Ihs Produttore: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Codice pacchetto parte: SOT
Descrizione del pacchetto: PICCOLO CONTORNO, R-PDSO-G8
Numero pin: 8
Codice ECCN: EAR99
Codice HTS: 8541.29.00.95
Produttore: Advanced Power Electronics Corp
Grado di rischio: 5.71
Caratteristica aggiuntiva: RESISTENZA ULTRA BASSA
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 40 V
Scarico corrente-max (ID): 10 A
Drain-source On Resistenza-Max: 0.015 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Codice JESD-30: R-PDSO-G8
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 8
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 48 A
Stato della qualifica: non qualificato
Montaggio superficiale: SI
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: DUAL
Transistor Applicazione: COMMUTAZIONE
Transistor Materiale dell'elemento: SILICONE
Transistor 10 A, 40 V, 0.015 ohm, CANALE N, Si, POTENZA, mosfet, CONFORME ROHS, SOP-8, FET alimentazione per uso generale