#AP9985GM APEC AP9985GM Novo Transistor 10 A, 40 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Power, imagens AP9985GM, preço AP9985GM, fornecedor # AP9985GM
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Email: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/ap9985gm.html
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Número da peça do fabricante: AP9985GM
Código do ciclo de vida da peça: Entre em contato com o fabricante
Fabricante Ihs: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Código do pacote da peça: SOT
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Contagem de pinos: 8
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.29.00.95
Fabricante: Advanced Power Electronics Corp
Classificação de risco: 5.71
Recurso Adicional: ULTRA BAIXA RESISTÊNCIA
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 40 V
Corrente de drenagem-Máx (ID): 10 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.015 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO Semicondutores
Código JESD-30: R-PDSO-G8
Número de elementos: 1
Número de terminais: 8
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Corrente de drenagem pulsada-Máx (IDM): 48 A
Status de qualificação: Não qualificado
Montagem em superfície: SIM
Formulário Terminal: GULL WING
Posição Terminal: DUAL
Transistor Aplicação: SWITCHING
Transistor Material do Elemento: SILICON
Transistor 10 A, 40 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, EM CONFORMIDADE COM ROHS, SOP-8, Potência de Uso Geral FET
Código do ciclo de vida da peça: Entre em contato com o fabricante
Fabricante Ihs: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Código do pacote da peça: SOT
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Contagem de pinos: 8
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.29.00.95
Fabricante: Advanced Power Electronics Corp
Classificação de risco: 5.71
Recurso Adicional: ULTRA BAIXA RESISTÊNCIA
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 40 V
Corrente de drenagem-Máx (ID): 10 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.015 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO Semicondutores
Código JESD-30: R-PDSO-G8
Número de elementos: 1
Número de terminais: 8
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Corrente de drenagem pulsada-Máx (IDM): 48 A
Status de qualificação: Não qualificado
Montagem em superfície: SIM
Formulário Terminal: GULL WING
Posição Terminal: DUAL
Transistor Aplicação: SWITCHING
Transistor Material do Elemento: SILICON
Transistor 10 A, 40 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, EM CONFORMIDADE COM ROHS, SOP-8, Potência de Uso Geral FET