#AP9985GM APEC AP9985GM Mới Transistor 10 A, 40 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Power, ảnh AP9985GM, giá AP9985GM, nhà cung cấp # AP9985GM
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/ap9985gm.html
-----------------------
Nhà sản xuất một phần số: AP9985GM
Mã vòng đời một phần: Liên hệ với nhà sản xuất
Ihs Nhà sản xuất: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Mã phần gói: SOT
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Số lượng pin: 8
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.29.00.95
Nhà sản xuất: Advanced Power Electronics Corp
Xếp hạng rủi ro: 5.71
Tính năng bổ sung: KHÁNG SINH SIÊU THẤP
Cấu hình: DUY NHẤT VỚI DIODE TÍCH HỢP
Phân tích DS Vôn-Tin: 40 V
Xả Hiện tại-Tối đa (ID): 10 A
Nguồn xả khi Điện trở-Tối đa: 0.015 Ω
FET Công nghệ: METAL-OXIDE Semiconductor
Mã JESD-30: R-PDSO-G8
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 8
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Dòng xả xung-Tối đa (IDM): 48 A
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Gắn kết bề mặt: CÓ
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Transistor Ứng dụng: CHUYỂN ĐỔI
Transistor Nguyên liệu thành phần: SILICON
Transistor 10 A, 40 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET Công suất mục đích chung
Mã vòng đời một phần: Liên hệ với nhà sản xuất
Ihs Nhà sản xuất: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Mã phần gói: SOT
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Số lượng pin: 8
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.29.00.95
Nhà sản xuất: Advanced Power Electronics Corp
Xếp hạng rủi ro: 5.71
Tính năng bổ sung: KHÁNG SINH SIÊU THẤP
Cấu hình: DUY NHẤT VỚI DIODE TÍCH HỢP
Phân tích DS Vôn-Tin: 40 V
Xả Hiện tại-Tối đa (ID): 10 A
Nguồn xả khi Điện trở-Tối đa: 0.015 Ω
FET Công nghệ: METAL-OXIDE Semiconductor
Mã JESD-30: R-PDSO-G8
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 8
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Dòng xả xung-Tối đa (IDM): 48 A
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Gắn kết bề mặt: CÓ
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Transistor Ứng dụng: CHUYỂN ĐỔI
Transistor Nguyên liệu thành phần: SILICON
Transistor 10 A, 40 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET Công suất mục đích chung