#BSM10GD120DN2 Eupec BSM10GD120DN2 Neu IGBT: 10A1200V;IGBT-Module 1200V 10A FL BRIDGE, BSM10GD120DN2 Bilder, BSM10GD120DN2 Preis, #BSM10GD120DN2 Lieferant
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM10GD120DN2
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT-Module
RoHS: Nein
Marke: Infineon Technologies
Produkt: IGBT-Siliziummodule
Konfiguration: Hex
Sammler-Emitter Spannung VCEO max: 1200 V.
Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 2.7 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 15 A.
Gate-Emitter-Leckstrom: 120 nA
Pd - Verlustleistung: 80 W.
Verpackung / Karton: EconoPACK 2
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Verpackung: Bulk
Maximaler Gate-Emitter Spannung: +/- 20 V
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montagestil: Schraube
Factory Pack Menge: 10
IGBT: 10A1200V; IGBT-Module 1200V 10A FL BRIDGE
Shunlongwei prüfte jedes BSM10GD120DN2 vor dem Versand, alle BSM10GD120DN2 mit 6 Monaten Garantie.