#BSM10GD120DN2 Eupec BSM10GD120DN2 Novità IGBT: 10A1200V;Moduli IGBT 1200V 10A FL BRIDGE, immagini BSM10GD120DN2, prezzo BSM10GD120DN2, fornitore #BSM10GD120DN2
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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM10GD120DN2
Produttore: Infineon
Categoria di prodotto: moduli IGBT
RoHS: No
Marchio: Infineon Technologies
Prodotto: Moduli IGBT in silicone
Configurazione: esadecimale
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1200 V.
Saturazione collettore-emettitore voltaggio: 2.7 V
Corrente di collettore continua a 25 C: 15 A
Corrente di dispersione gate-emettitore: 120 nA
Pd - Dissipazione di potenza: 80 W.
Confezione/scatola: EconoPACK 2
Temperatura operativa massima: + 150 C
Confezione: Bulk
Emettitore Gate massimo voltaggio: +/-20 V
Temperatura di esercizio minima: - 40 ° C
Stile di montaggio: vite
Quantità confezione da fabbrica: 10
IGBT: 10A1200V; Moduli IGBT 1200V 10A FL BRIDGE
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